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zhjvampire

银虫 (初入文坛)

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[交流] 【2012-3-1】第十二届全国MOCVD学术会议

会议城市:

厦门

是否Ei/ISTP收录:

未被收录

截稿日期:

2012年3月1日

2012年4月11~14日
中国·厦门大学科学艺术中心
主办单位：中国有色金属学会
承办单位：厦门大学
厦门市科技局
执行单位：厦门大学福建省半导体材料及应用重点实验室
厦门光电子行业协会
国家半导体照明工程研发及产业联盟
厦门大学物理系

会议背景
金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了多项进展，特别是解决了高难的生长技术与量大面广所要求的低廉价格之间的尖锐矛盾。目前已经在氮化镓、砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用，对微波器件和光电器件的研制产生巨大的影响，也将成为超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及器件方面突破性研究的关键技术，MOCVD技术的发展将会给微电子技术和光电子技术带来更为广阔的前景。

会议宗旨
交流MOCVD技术领域研发的新理论、新进展，及其在材料应用领域的新动态、新成果；探讨目前存在的问题和今后主要的发展方向；进一步加快我国MOCVD技术创新及推广应用。

参会对象
MOCVD相关材料生长和制备、生长机理与性质研究、设备研制与开发等专家、学者、技术人员、管理人员及学生等。

会议征文
1. 征文内容
1) 材料生长和制备
2) 生长机理和动力学研究
3) 外延结构与性质研究
4) MO源、衬底等基础材料
5) 封装技术及封装材料
6) 设备的研制与开发
7) 其它相关技术

2. 征文要求
1) 符合上述议题的研究报告；

2) 研究报告主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位；

3) 报告摘要请以WORD文档形式，包含标题、作者及其单位地址、正文、参考文献在内原则上不超过一页（可参考本站提供论文模板），于2012年3月1日前通过电子邮件方式提交给组委会秘书组（mocvd12@xmu.edu.cn），中英文稿件皆可。

4) 所有报告摘要将编入会议文集。

重要日期
1.报告提交截止：2012年3月1日

2.参会注册优惠截止：2012年2月28日

3.报告录用通知：2012年3月中旬

参会报名
以电子邮件方式报名，步骤如下：

① 上会议网站（https://mocvd12.xmu.edu.cn/）下载参会回执表，填妥后E-mail至组委会会务组（mocvd12@xmu.edu.cn）；

② 报名单位汇款，反馈汇款凭证扫描件或信息至组委会会务组（mocvd12@xmu.edu.cn）；

③组委会会务组确认汇款后，寄出参会确认书。

联系人：李金钗、陈航洋

电话：86-592-2187537

传真：86-592-2187737

邮箱：mocvd12@xmu.edu.cn

网址：https://mocvd12.xmu.edu.cn/（请关注我们的会议详情和最新信息更新）

[ Last edited by zhjvampire on 2011-12-19 at 09:42 ]

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