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电化学合成铜铟硒,容易脱落
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xjr0323
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电化学合成铜铟硒,容易脱落
小弟在做电化学合成铜铟硒,合成出来的薄膜疏松多孔,容易脱落,无法测量其电学性质,各位虫友们友什么办法没有?
多谢!
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1楼
2011-12-17 14:23:02
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yanbo1986
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电流密度是自己计算出来的...基底只用酒精超声的话可能洗不干净。。。可以考虑一下酸洗加上除油...
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4楼
2011-12-19 09:44:51
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yanbo1986
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是在什么基体上镀的镀层呢?基体处理的不好的话可能会导致镀层和基体的结合力不好,另外电流密度过大或者其他的都会出现这个情况...
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xjr0323
2楼
2011-12-17 17:11:01
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yanbo1986
at 2011-12-17 17:11:01:
是在什么基体上镀的镀层呢?基体处理的不好的话可能会导致镀层和基体的结合力不好,另外电流密度过大或者其他的都会出现这个情况...
在ITO基底上,ITO是购买的,做之前在酒精中超声清洗了。不知你衬底是怎么处理的?
是用恒电压做的,电压比文献中的还小,我做的时候只显示电流,没有电流密度呀,求解释呀
多谢了
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3楼
2011-12-18 12:46:51
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很有帮助 2011-12-22 14:59:46
ITO的处理:四氯化碳-丙酮-酒精清洗-电化学除油
还有应该问题:铜铟硒与ITO(氧化铟硒)的晶格错配度的问题,若晶格类型和尺寸差不多,首先应该是外延生长的,结合的应该会很好的。
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xjr0323
5楼
2011-12-19 13:45:30
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