7楼: Originally posted by weihuanping at 2011-12-29 19:17:29:
我也做硫化锌掺杂锰离子的量子点，本来合成的量子点在580nm处荧光强度比450nm处高很多，但我现在合成的怎么450nm处峰值怎么与580nm处差不多大，且有时还比580nm处大，我想知道原因。合成方法就是按文献上合成的。 ...

8楼: Originally posted by xiejf at 2011-12-29 21:28:55:
时间变化的Ar离子刻蚀XPS，给出深度剖析的成分信息。

11楼: Originally posted by cscsycy at 2011-12-30 08:54:29:
原因是在掺杂的时候新生产了很多新的Zns QDs，Zns QDs的束缚态发光差不多在450nm
450nm处峰值怎么与580nm处差不多大，且有时还比580nm处大说明你掺杂的效果不是很好

13楼: Originally posted by weihuanping at 2011-12-30 21:02:24:
那怎么才能使掺杂效果变好啊，谢谢了啊

12楼: Originally posted by 鹰羽龙 at 2011-12-30 11:10:18:
平整表面可以做depth profiling，但是对纳米粒子，量子点什么的应该不行

15楼: Originally posted by cscsycy at 2011-12-30 21:43:59:
据说   TEM面扫可以解决此事！求解？

7楼: Originally posted by weihuanping at 2011-12-29 19:17:29
我也做硫化锌掺杂锰离子的量子点，本来合成的量子点在580nm处荧光强度比450nm处高很多，但我现在合成的怎么450nm处峰值怎么与580nm处差不多大，且有时还比580nm处大，我想知道原因。合成方法就是按文献上合成的。
...