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如何知道chemical vapor deposition参数。
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jfw1978
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[交流]
如何知道chemical vapor deposition参数。
试验经验,理论计算?
[
Last edited by daiqiguang on 2007-5-14 at 15:43
]
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1楼
2007-01-12 08:17:33
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zhangwengui330
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★
rabbit7708(金币
+1
):谢谢继续关注!:)
解释为什么这么做,要么多看些文献以及相关的基础知识
还有正是要楼主自己考察为什么这样才是你做这个研究的意义所在,
楼主自己设计不同条件,从而考察出最优条件,更一步还可以给出机理解释
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7楼
2007-01-23 22:51:32
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cometring
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楼主把问题具体一些更好回答,不然就先看看相关的书吧,应该对你很有帮助
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与超版斗,其乐无穷;与斑竹斗,其乐无穷;与虫子斗,其乐无穷。
2楼
2007-01-12 09:10:23
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jfw1978
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引用回帖:
Originally posted by
cometring
at 2007-1-12 09:10 AM:
楼主把问题具体一些更好回答,不然就先看看相关的书吧,应该对你很有帮助
比如实验所需温度,气压等等这些数值是经验值还是理论计算结果
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3楼
2007-01-12 22:43:52
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zhangwengui330
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★ ★ ★
rabbit7708(金币
+3
):不好意思,以前没看到您这个应助贴,加分晚了,请见谅!:)
楼主做什么的CVD了??
金属化合物??有机物??或者是其他?
一般反应参数你得参照你原料的分解温度及反应温度,至于气压一般不是很高,压力太大会造成反应过快造成粒子沉积速度相对太快从而促使粒子间的团聚,当然只是一般情况,有的必须是高压反应,如果高低压都可以选择的话建议楼主采用低压,设备要求也不高。
温度和压力的选择建议楼主看看课题相近或相似的文献,如果别人做过,那更好办,先适量重复别人做过的,然后再改进创新.
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4楼
2007-01-12 22:53:39
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