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hellrose

新虫 (小有名气)

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专业: 半导体材料

[求助] 平均场居里温度计算的问题已有1人参与

在一篇文章中看到 Furthermore, it is clear that the energy
difference 1EFM (40.1 meV) between AFM and FM states is very
large for configuration II (1, 3). The Curie temperature (TC ) can
be estimated with the classical Heisenberg model in mean-field
theory [23]
kBTC = 21EFM/3x (2)
where x is the concentration of doping atoms and kB is Boltzmann’s
constant. By Eq. (2), the Curie temperature (TC ) of Cu-doped CdS is
obtained. It is about TC = 400 K and higher than room temperature
in Cu-doped ZnO DMSs [24] and Cu-doped GaN [25] respectively.
These results illustrate that Cu-doped CdS is a more promising
spintronics material.
其中公式2是根据平均场理论算出的Tc为400多，其中k，Delta（EFM）=40.1meV已知，x为掺杂原子的浓度，可是x带2/36，或者按质量百分数算都是5000多了，不知道大家有无用过这个公式，或者这里作者处理的不对？

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1楼 2011-11-30 12:04:20

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