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nanopony

荣誉版主 (文坛精英)

优秀版主优秀区长

[交流] 求助半导体带隙计算的高手!

做纳米材料尤其是半导体材料的形态控制合成.在论文中,常常涉及到晶体结构尤其是在材料设计时,如果能够知道材料的能带结构,从理论上进行指导,对材料的合成有很大的指导意义.
     从网络上知道做相关的计算的.查资料,看见有的作者是利用TB-LMTO,利用第一性原理计算得到的.目的是获得材料的能带结构和态密度.不知道那未朋友做过相关工作没有?能不能做相应的计算?计算有那些步骤?需要那些程序?如果不麻烦的话,希望给予指导!
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欲取其中,必求其上;欲取其上,必求其上上。
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lxjim

木虫 (正式写手)

博士

论坛上讨论得很多,用MS的Castep模块就可以,操作很简单,只是需要进行晶体结构构建,其能带结构和态密度等就可以通过后台计算。
一叶轻舟,可以载着你、我、他...
3楼2007-02-09 17:13:26
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milans7

木虫 (正式写手)

这些软件都可以计算的,但是精确的程度是不同的,这些和计算的方法原理有关系
最好用abinit这个计算的最为精确
在忍与不忍中学会生活, 在顺与不顺中把握命运.
4楼2007-03-04 09:34:12
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wpq

金虫 (小有名气)

有没有详细些的介绍?
5楼2007-03-04 10:18:47
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milans7

木虫 (正式写手)

具体的计算软件有castep,pwscf,vasp,wien2k,和abinit
其中前4个是基于密度泛涵的理论,最后一个是基于格临函数
前三个是赝势的方法,第四个是全势方法。由于密度泛涵理论本身的限制,他们都要低估带隙,20-50%,当然也和你选取的近似有关系

最后一个比较精确的计算band gap,具体的方法我还不是很清楚,正在学习之中。。。

这个东西有很多的地方都有介绍的

ps:这些都是对于晶体来进行计算的,其他的比如薄膜也可以,但是不是很理想
在忍与不忍中学会生活, 在顺与不顺中把握命运.
7楼2007-03-05 15:32:50
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