应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 复合材料 » 金属基 » 半导体中掺杂金属，金属原子受哪些力？
21/1返回列表
查看: 647  |  回复: 1
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

realwz

铁虫 (初入文坛)

[求助] 半导体中掺杂金属，金属原子受哪些力？

例如半导体SI中掺杂Ag, Ag在硅里面是靠共价键，范德华力，还是其他什么力维持？
再比如金属半导体薄膜，界面处，金属原子与半导体原子之间怎么结合的？

十分感谢！
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

材料化工工艺过程问题、实验过程问题

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼 2011-11-12 07:53:07
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

javas2010

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

realwz(金币+2): 2011-11-12 09:33:34
如果是做纯粹的掺杂，那金属原子应该是刚好镶嵌在SiO2 的晶胞，靠共价键与Si 原子牢固结合在一起。而仅仅是做修饰的话才考虑界面间的结合，两者的化物性质相差太多。
赞一下 回复此楼
含泪播种的人一定能含笑收获！
2楼2011-11-12 08:39:54
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 realwz 的主题更新
21/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭