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outo

至尊木虫 (著名写手)

[交流] 纳米TiO2上面沉积贵金属 已有1人参与

在纳米TiO2上面沉积贵金属后,一般半导体能级向上弯曲形成Schottky势垒,如果现在TiO2上光照形成光生电子空穴对后,需要越过Schottky势垒,电子才能转移到贵金属上,它怎么能有效地充当电子陷阱阻止电子与空穴的复合呢?有这势垒的存在,也应该是空穴转移呀?
如果某种导体的功函数比纳米TiO2的要小,沉积到TiO2是不是能更有效地阻止电子与空穴的复合?
麻烦各位给解答一下,谢谢!

[ Last edited by outo on 2011-11-10 at 13:31 ]
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laolong09i

金虫 (小有名气)

带弯是向下的
2楼2011-11-10 15:47:45
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outo

至尊木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by laolong09i at 2011-11-10 15:47:45:
带弯是向下的

我们应该说得是同一回事,但是由光激发产生的电子为什么会越过能垒?由于内间电场的原因空穴不是更容易转移到金属上吗?


3楼2011-11-10 16:13:35
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outo

至尊木虫 (著名写手)

没人回复 自己顶一下
4楼2011-11-14 09:53:48
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outo

至尊木虫 (著名写手)

求助啊
5楼2014-01-15 10:49:30
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