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outo至尊木虫 (著名写手)
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纳米TiO2上面沉积贵金属 已有1人参与
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在纳米TiO2上面沉积贵金属后，一般半导体能级向上弯曲形成Schottky势垒，如果现在TiO2上光照形成光生电子空穴对后，需要越过Schottky势垒，电子才能转移到贵金属上，它怎么能有效地充当电子陷阱阻止电子与空穴的复合呢？有这势垒的存在，也应该是空穴转移呀？ 如果某种导体的功函数比纳米TiO2的要小，沉积到TiO2是不是能更有效地阻止电子与空穴的复合? 麻烦各位给解答一下，谢谢！ [ Last edited by outo on 2011-11-10 at 13:31 ] |
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