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zhenghaiw(金币+18, 基金HEPI+1): 2011-11-27 23:24:03
基于立方氮化硼薄膜的紫外光电探测器的设计与研制
负责人：杨杭生 参与人：杨杭生, 李宇波, 张孝彬, 马朝霞, 郑军伟, 朱继, 李乾, 陈爱丽, 陈儒, 谭志谋
金额：60万 申请时间：2011 学科代码：半导体光探测器(F040303) 项目批准号：61176051
申请单位：浙江大学 研究类型：基础研究
关键词：立方氮化硼薄膜；掺杂，太阳盲，紫外探测器
摘要立方氮化硼(cBN)的超高硬度、优异热传导性和化学稳定性、6.1-6.4eV的禁带宽度和简单易行的p型和n型掺杂，使其作为宽禁带半导体极具应用前景。申请者经过十多年cBN薄膜的研究，取得了如下的突破性进展：利用1500K高温退火成功释放了cBN薄膜的残留压缩应力，在石英和硅衬底上制备了厚度超过200纳米、纯度超过98%的稳定cBN薄膜；实现了cBN薄膜的实时硫掺杂、所制备的S-cBN/p-Si和cBN/n-Si异质结的室温整流比达3-10万倍。本项目将以此为基础，深入基于cBN薄膜的太阳盲紫外光电探测器设计与制备过程中的基础问题研究。系统考察离子注入、双极性溅射等方法对cBN薄膜的掺杂并调整能带结构的，探索cBN薄膜的微观结构、薄膜与金属电极的接触和深紫外响应特性与器件功能的内在关联和规律，试制MSM和PN型肖特基结构紫外光电探测器件。并初探其在极端条件的可能应用。 |
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