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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 电子激发

想做电子激发的相关研究，不知道vasp可不可以做，如可可以，与哪些设置有关，希望做过相关研究的虫友多多帮助，小虫不胜感激
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1楼 2011-10-28 11:28:57
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tider

木虫 (正式写手)
fengshiquan(金币+3): 谢谢冲有的提醒 2011-10-28 20:12:17
引用回帖:
3楼: Originally posted by fengshiquan at 2011-10-28 14:56:23:
虫友能不能说的详细点，GW方法怎么实现对激发态的描述，需要设置哪些选项，需要注意些什么，谢谢了

具体用GW怎么算，manual上面都有的，网上也可以搜到例子。GW理论的综述可以下载这篇文章看看，http://iopscience.iop.org/0034-4885/61/3/002。谢希德院士的那本《固体能带理论》中也有讲，也可以看看。
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4楼2011-10-28 18:28:21
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tider

木虫 (正式写手)
★
fengshiquan(金币+1):谢谢参与
fengshiquan(金币+3): 2011-10-28 14:54:14
据我所知，DFT不能很好的描述激发态性质，这可能与Kohn-Sham中slowly varying density 和 high density 假设的限制有关。不过好像这个问题还没有完全解决吧。ＶＡＳＰ里包含了GW方法（quasiparticle approximation），用来处理激发态问题，如半导体带隙的计算，你可以关注一下啊
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2楼2011-10-28 12:16:02
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by tider at 2011-10-28 12:16:02:
据我所知，DFT不能很好的描述激发态性质，这可能与Kohn-Sham中slowly varying density 和 high density 假设的限制有关。不过好像这个问题还没有完全解决吧。ＶＡＳＰ里包含了GW方法（quasiparticle approximatio ...

虫友能不能说的详细点，GW方法怎么实现对激发态的描述，需要设置哪些选项，需要注意些什么，谢谢了
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3楼2011-10-28 14:56:23
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