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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » Si-SiC的含量分析
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yuenan314

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
4681291楼: Originally posted by 白杨木的眼泪 at 2012-09-12 20:18:34
先高温将试样碳化，再经氢氟酸除二氧化硅，用盐酸处理后，高温灼烧，剩下的物质为碳化硅

这个方法您尝试过吗？
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自由之精神乃我后半生之追求
11楼2012-09-13 08:01:12
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白杨木的眼泪

新虫 (初入文坛)
我最近就用这个方法做的 但具体过程比我上面说的要具体些的
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12楼2012-09-13 15:01:06
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白杨木的眼泪

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4681597楼: Originally posted by yuenan314 at 2012-09-13 08:01:12
这个方法您尝试过吗？...

我最近就用这个方法做的 但具体过程比我上面说的要具体些的
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13楼2012-09-13 15:02:34
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Wings_Xu

铜虫 (初入文坛)
HNO3(浓)：HF=4:1,40度水浴48h，即可将Si除掉，洗净烘干即可得到SiC。
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14楼2013-12-12 09:40:55
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kevin123581

金虫 (正式写手)
送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by yuenan314 at 2011-10-27 13:52:44
我知道XPS对C是比较敏感的。这样通过拟合得到的原子总数可靠吗？另外SiC中的四价硅和单质的零价硅在XPS中应该是不同的。XPS本来就是做价态拟合得嘛。我可不可以直接就以不同的Si来判断其中的Si跟SiC含量？...

我也想请教下，楼主成功了么？ 我也想测量单质和Sio2的相对含量，而且还是深度方向的。 也正在考虑用xps，谢谢
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15楼2015-05-13 14:28:05
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