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定向硅纳米线阵列XRD谱的疑惑
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我们由单晶硅片（100）用化学刻蚀法制备了定向Si纳米线阵列，测得XRD谱图如下面的第一幅图所示，有一个明显的（400）衍射峰。低角度部分放大如第二幅图所示，其中第1个小峰和第2个强峰可以分别和硅的（111）和（200）对应，但是61.7度左右的强峰却和所有硅标准卡片上的任何峰都对不上。百思不得其解，求高手给指点一下。 非常感谢！   |
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