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cge(金币+4, 基金HEPI+1): ok 2011-11-03 22:26:13
SnO2低维纳米结构的设计、合成与光电性质研究
负责人：王培吉 参与人：王培吉, 李萍, 黄金昭, 邵明辉, 逯瑶, 冯现徉, 蒋雷, 张国莲
金额：62万 申请时间：2011 学科代码：纳电子学(F010705) 项目批准号：61172028
申请单位：济南大学 研究类型：应用基础研究
摘要：低维纳米结构SnO2是新一代光电子器件的功能组元，在太阳能电池、场发射器件等方面具有广阔的应用前景。本项目针对低维纳米结构SnO2，拟采用第一性原理分子动力学和实验两方面进行研究：（1）研究SnO2纳米片/带/管的光电性能，探讨缺陷、界面、尺寸及掺杂等因素对其电子结构的影响，研究微结构变化与光电性能的关系，揭示低维纳米结构SnO2光电性能的物理规律。（2）研究纳米片/带/管在armchair 和 zigzag 构型下SnO2的光电性能，研究电子性质与纳米带自身的手性、长度及分支高度和宽度的关联性质；比较表面裸露和经H、N、F等表面修饰后的光电性能，探讨修饰、分子组装等因素对其性能的影响，揭示低维结构构型及修饰与光电性能之间的微观联系。（3）研究制备性能稳定的低维纳米结构SnO2的关键技术，测试结构的光电性能，探索纳米光电子器件单元的可行性。本项目的研究对新型纳米电子器件的应用具有重要意义。 |
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