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思悦

银虫 (初入文坛)

[交流] 询问半导体中的一个概念

请问半导体材料中的“禁带宽度”和英文文献中经常出现的“work function是同一概念吗??
还望从事半导体材料以及半导体催化的高手们领领路啊!
"

[ Last edited by nxl5096224 on 2007-6-5 at 23:24 ]
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思悦

银虫 (初入文坛)

感谢上面二位的跟贴谢谢啊
让俺长了见识

这样看来二者严格意义上还真不是一个概念啊
只不过是同一量纲吧了

谢谢啊
5楼2006-12-12 08:39:48
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思悦

银虫 (初入文坛)

斑主
伸伸援手啊

我真的是比较急啊

高手们多加照顾啊!!!!!!!!!!
2楼2006-12-11 21:28:29
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daiqiguang

荣誉版主 (知名作家)

优秀版主

★ ★
berlin(金币+2):基础知识很扎实,佩服
各自定义如下:(找本物理书看看)
禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带(能导电)。被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。硅的禁带宽度为 0.8ev,砷化镓比他高得多(具体不记得了,大概是一点几还是二点几)。禁带非常窄就成为金属了,反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压,正向压降都合禁带宽度攸关。
在单电子近似的DFT理论框架里,禁带宽度定义为导带(conduction band)电子和价带(valence band)电子之间的能量差。
逸出功(work function)  又称功函数或脱出功。一个电子从金属或半导体表面逸出时克服表面势垒所必须做的功。不同金属具有不同的逸出功。如钨的逸出功为4.5电子伏特(eV)(1eV=1.602×10-19焦耳),镍为4.3电子伏特。对同种金属,其逸出功往往又与它的晶轴取向和表面状况密切有关。在金属表面涂以钡、锶、钍等氧化物后,逸出功显著减小。如表面涂钍的钨的逸出功为2.63电子伏特,而表面涂铯的钨的逸出功仅为0.71电子伏特。因此在电子管、光电管中常用涂有氧化物的金属作为阴极。

固体表面吸附气体后,逸出功也会发生变化,因而测量逸出功变化已成为研究固体表面性质的一种方法
有事请到www.chemj.cn上找chemj,谢谢
3楼2006-12-11 21:38:55
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protein1

铁杆木虫 (著名写手)

0.25


berlin(金币+1):谢谢补充
佩服楼上的,学习了,谢了,顺便补充一句,禁带宽度是一个绝对值,而逸出功是一个相对值(无穷远处为0势面).
4楼2006-12-11 22:40:03
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