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longwangye

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


gzqdyouxia(金币+1): 谢谢提示 2011-09-30 11:08:24
hecking(金币+3): 2011-09-30 19:50:26
你去找xps能谱进行对照然后调参数
11楼2011-09-30 10:36:16
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buct2010

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

hecking(金币+3): 2011-09-30 19:50:19
引用回帖:
10楼: Originally posted by hecking at 2011-09-29 18:09:38:
你真细心,我也正在考虑这个问题,众说纷纭。实验值带隙为0.95。有的说选有的说不选。我还在思考中。还有呢,我的U值会不会太小了啊?总觉得不踏实!

有带隙就说明是半导体,不应该选Metal 。U值是要测试的,你从1测到5,看看带隙变化趋势,再在最接近实验值的U值附近多测试几个点。自己测试才是王道啊,呵呵
12楼2011-09-30 11:29:15
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尹珺加油

金虫 (小有名气)


uuv2010(金币+1): 欢迎参加交流 2011-10-01 21:12:21
FeS2是半导体,如果不选金属的话必然CASTEP系统自然默认的是fix occupancy的选项,但是LDA+U是不能和fix occupancy一起计算的.因此我选上了金属的选项。
幸福源自我们的挚爱!
13楼2011-10-01 20:53:05
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hecking

金虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by buct2010 at 2011-09-28 11:02:37:
哦,这样的话就只能考虑自旋了。我用的是VASP,自旋和U可以随便选择用不用。U值可以是非整数。

你好,请问在VASP里,Ueff=U-J吗?还是U、J分别设置啊?
14楼2011-10-14 14:53:05
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sss3012

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

hecking(金币+2): 2011-10-15 21:17:15
hecking(金币+1): 2011-10-18 08:01:23
U值最好参考实验数据
15楼2011-10-14 21:27:36
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zdsk

木虫 (正式写手)

继续关注
16楼2011-10-16 16:38:48
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yangyangwlhx

木虫 (正式写手)

少校

引用回帖:
2楼: Originally posted by buct2010 at 2011-09-27 21:03:13
1 U值是修正能带结构的,建议你多测几个U值,看不同U值对应得带隙。选取与实验值最接近的带隙的U值。(类似工作:J.Phys.Chem.C 2011 115 8274-8282)
2 自旋极化,对于同一个体系,选自旋极化和不极化分别算一遍, ...

楼主 您好 请问您在计算时 加U是从计算的什么阶段开始加的 是收敛性测试 还是几何结构优化 还是后面计算其他性质时加的  我知道的有3种方法 不知道合适不合适 求指导  一种是 收敛性测试时不加U 然后几何结构优化时 也不加U  在几何结构优化后 ,计算能带和态密度以及其他性质时,加U  ;另外一种方法是 收敛性测试时 不加U 几何结构优化时 加U 此时不计算任何性质 只计算单点能, 在几何结构优化结束后,然后计算其他性质时,继续加U,获得计算结果;最后一种方法是 收敛性测试时不加U,结合结构优化时加U并且同时选择计算能带结构和态密度以及其他性质。 我做的体系中有过渡金属,所以向楼主请教
孤狼
17楼2013-11-30 20:54:16
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