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hecking

金虫 (正式写手)

[求助] 【求助成功】LDA+U

大家严厉批评并指正,希望能够在大家的帮助下获得正确的计算方法。谢谢

使用CASTEP计算FeS2,因含有过渡金属所以采用LDA+U计算。在文献中看到低自旋S=0所以自旋值采取的系统默认的。关于U值和实验数据相比(系统默认的是U=2.5)后选取的1.5.




[ Last edited by 贺仪 on 2011-10-20 at 20:44 ]
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buct2010

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

hecking(金币+3): 2011-09-30 19:50:19
引用回帖:
10楼: Originally posted by hecking at 2011-09-29 18:09:38:
你真细心,我也正在考虑这个问题,众说纷纭。实验值带隙为0.95。有的说选有的说不选。我还在思考中。还有呢,我的U值会不会太小了啊?总觉得不踏实!

有带隙就说明是半导体,不应该选Metal 。U值是要测试的,你从1测到5,看看带隙变化趋势,再在最接近实验值的U值附近多测试几个点。自己测试才是王道啊,呵呵
12楼2011-09-30 11:29:15
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buct2010

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
uuv2010(金币+2): 多谢提示 2011-09-27 21:09:07
uuv2010: 2011-09-27 21:09:26
hecking(金币+5): 谢谢, 2011-09-27 21:15:53
youzhizhe(金币+1, 1ST强帖+1): 谢谢交流,已计入专家顾问考核。 2011-10-14 23:41:30
1 U值是修正能带结构的,建议你多测几个U值,看不同U值对应得带隙。选取与实验值最接近的带隙的U值。(类似工作:J.Phys.Chem.C 2011 115 8274-8282)
2 自旋极化,对于同一个体系,选自旋极化和不极化分别算一遍,看总能差别大不大,不大可以不考虑自旋极化,差别大要考虑自旋极化。(考虑自旋极化肯定没错,但会增加计算量)
2楼2011-09-27 21:03:13
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hecking

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by buct2010 at 2011-09-27 21:03:13:
1 U值是修正能带结构的,建议你多测几个U值,看不同U值对应得带隙。选取与实验值最接近的带隙的U值。(类似工作:J.Phys.Chem.C 2011 115 8274-8282)
2 自旋极化,对于同一个体系,选自旋极化和不极化分别算一遍 ...

请问不选自旋极化就没有办法选择LDA+U的啊
3楼2011-09-27 21:17:32
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hecking

金虫 (正式写手)

我想很多新手同我一样不是很清楚LDA+U的计算,我希望大家都能说说。对我和同处在迷茫重的虫虫指引一个方向,再次谢谢大家!
4楼2011-09-27 21:19:59
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