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势垒高度大于多少电子就难以跃迁了
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| However, in the ease of ZrO2, it is speculated that the barrier height of the Pt-ZrO2 junction is higher than that of the PI-TiO2junction because the difference between the Fermi level of Pt and ZrO2 is large . Therefore the migration of electrons from Zr02 to Pt is rare and the promotional effect of Pt loading is small. 请问这是为什么？势垒高度大于多少电子就难以跃迁了 |
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4楼2011-09-28 09:13:21
【答案】应助回帖
lihuamin(金币+10): 2011-09-28 09:13:37
 lz，这个是能带图。其实我也很菜的，不知对不对。但是你说的“多大的势垒电子跃迁不过去”。。。其实这个不是“跃迁”，文中的migration是“迁移”，也就是从ZrO2到Pt的运动（真实的运动，不强调波函数态的变化），和“跃迁”不是一回事。 PS：1、我这个图有点错，就是画的是本征费米能级，我估计你文中的意思应该是ZrO2做了n型掺杂？那么Ef应该往上移动，贴近导带底。 2：以上是理想情形，实际上金属-半导体接触还要考虑界面态；以及考虑镜像力导致的肖特基势垒降低。 3、总之结论是，在外电场V作用下，电子从半导体流向金属的净电流是： J=A*T*T*exp(-q*Bn/(k*T)) 其中J是电流密度，T是温度，k是玻尔兹曼常数，Bn是肖特基势垒，等于费米能级差再加Ec和Ef之间的差，q是电子电荷，A称为理查孙常数。可见如果费米能级差加大，Bn也加大，那么J就会迅速减小。 lz可以找本《半导体器件原理》之类的书，查一下有关金属半导体接触（场效应管）相关的内容。比较具体的推导在曾树荣《半导体器件物理基础》第三版，第四章，第一节可以找到，135-140页。 |
2楼2011-09-28 05:36:30
3楼2011-09-28 05:39:47