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lchpy

木虫 (职业作家)

优秀版主

[交流] James Tour 的2篇ACS Nano文献, 直接在SiO2表面生长graphene, bilayer. 已有10人参与

大家来看看这两篇ACS Nano ASAP的文章...
我是不明白为啥这样的实验可以写成2个..然后发在一起.....

都是用Ni当催化剂,CVD生产石墨烯, 不同之处一个是在Ni的下面用了SAM一个是在Ni的上表面用了polymer. 得到的结果都是一样的, transfer free graphene on SiO2.
先后接受于9月2,3日



这算是大牛灌水吗..

我觉得,这2个方法都是大同小异, 只是利用了Ni的催化效果,使graphene生长在Ni的下表面而已, 最终的目的就是不用转移,直接就可以在SiO2上利用E-beam做电极出来,然后就成为FET了.

和原来的PMMA转移相比,的确是方便了不少.但是他始终只是bilayer graphene. 而且关于在Cu下表面生长graphene的文献已经有报道了..还是这个组自己的文章,先后在Nature, ACS Nano上发表.

如果这2篇文章在同一时间发在不同的journal上,我还能理解..但是现在实在是看不透这编辑是怎么想的...大牛就是给力嘛....

[ Last edited by zhangwj on 2011-11-23 at 21:34 ]
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7楼2011-09-28 08:03:21
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