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大侠留步

新虫 (小有名气)

[求助] 简并半导体性质和非简并半导体性质的区别是什么呀?

童鞋们!简并半导体性质和非简并半导体性质的区别是什么呀?有没有说明该问题的文献呢?求帮助。
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夕阳西下

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
zzy870720z(金币+3): 谢谢指点 2011-09-21 13:10:37
简并半导体符合费米狄拉克分布,非简并半导体符合波尔兹曼分布。是掺杂浓度较低,半导体中的载流子浓度不大,则电子只占据导带底附近的一些能级,空穴只占据价带顶附近的一些能级,不需要考虑泡里不相容原理的限制,即可认为这些载流子遵从经典的统计分布;二是温度较高,则载流子的能量相应的较大,载流子所能够占据的能级数目较多,这时即使半导体中有较多的载流子,但是这些载流子可以在许多能级中分布,所以也不需要考虑泡里不相容原理的限制,因此也可以看成为经典的载流子。
这就是说,低掺杂的半导体和较高温度下的半导体,都可以认为是非简并半导体。
2楼2011-09-21 04:33:25
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meixinyidian

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
zzy870720z(金币+3): 谢谢指点 2011-09-21 13:10:50
引用回帖:
1楼: Originally posted by 大侠留步 at 2011-09-20 22:34:14:
童鞋们!简并半导体性质和非简并半导体性质的区别是什么呀?有没有说明该问题的文献呢?求帮助。

简并半导体就是载流子浓度很高以至于必须用费米狄拉克函数来分析。对于n型半导体,施主浓度很高,使费米能级接近或进入导带时,导带底附近底量子态基本上已被电子占据,导带中底电子书目很多, 这时候必须考虑泡利不相容原理,用费米分布函数来分析导带中电子的分布问题。对于p型半导体,其费米能级接近价带顶或进入价带,也必须用费米分布函数来分析价带中空穴的分布问题。
对于非简并的半导体,此时的掺杂浓度不是很高,则可以用玻尔兹曼分布来分析。
3楼2011-09-21 10:56:49
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大侠留步

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 夕阳西下 at 2011-09-21 04:33:25:
简并半导体符合费米狄拉克分布,非简并半导体符合波尔兹曼分布。是掺杂浓度较低,半导体中的载流子浓度不大,则电子只占据导带底附近的一些能级,空穴只占据价带顶附近的一些能级,不需要考虑泡里不相容原理的限制 ...

这个是简并半导体和非简并半导体的定义,或者说划分的依据。我想问的是电学性质啊什么的,您有关于这个的参考文献没?
4楼2011-09-21 15:57:18
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大侠留步

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by meixinyidian at 2011-09-21 10:56:49:
简并半导体就是载流子浓度很高以至于必须用费米狄拉克函数来分析。对于n型半导体,施主浓度很高,使费米能级接近或进入导带时,导带底附近底量子态基本上已被电子占据,导带中底电子书目很多, 这时候必须考虑泡 ...

这个是简并半导体和非简并半导体的定义,或者说划分的依据。我想问的是电学性质啊什么的,您有关于这个的参考文献没?
5楼2011-09-21 15:57:43
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夕阳西下

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

大侠留步(金币+5): 2011-09-22 10:53:54
你想问什么电学性质?自然是载流子浓度高,电导率高啊
6楼2011-09-22 10:31:20
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