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金虫 (小有名气)

[求助] 半导体基础知识理解

文章中提到，漫反射图谱给出的是energy gap of 2.08 eV for Ta3N5.但，说计算得出Ta3N5的带隙分别是 2.0 and 1.2 eV 。这三个数字该怎么理解？

1楼 2011-09-03 11:26:25

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金虫 (小有名气)

★
wbcui(金币+1): 感谢积极参与 2011-09-30 17:54:57
求知3877(金币+60): 谢谢 2011-10-06 10:07:44

除了用光学方法(漫反射图谱)计算禁带宽度以外, 利用密度泛函, 赝势法, 第一性原理等方法可以理论计算物质的能带结构的. 只是理论计算往往没有实验测量的方法准确而已. 具体针对如何计算可以参考文献, 我想大多数物质都已经被计算过了.

无机功能材料专业毕业，普通本科。行不了万里路，那就阅尽万卷书，目标努力达成中~~

2楼2011-09-30 15:24:20

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3楼2011-12-31 14:48:40

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荣誉版主 (知名作家)

sunny 阳光大师姐

你查一下相关文献吧，好像每种物质都有不同的两套GAP值，我以前也查过一些，记得我查氧化锌的有的说是7.6，有的说是2点几。

微笑拥抱每一天,做像向日葵般温暖的女子。

4楼2012-01-03 14:08:05

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