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xdrein金虫 (初入文坛)
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kanghe
铁杆木虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
xdrein(金币+4, 基金HEPI+1): 谢谢 2011-11-03 08:20:17
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磷离子注入制备高电导率n型纳米金刚石薄膜的研究 负责人：胡晓君 参与人：胡晓君, 侯广亚, 刘会君, 王旭, 潘金平, 陆利平 金额：35万 申请时间：2009 学科代码：金刚石及其他超硬材料(E020602) 项目批准号：50972129 申请单位：浙江工业大学 研究类型：应用基础研究 摘要：制备高电导率高迁移率n型纳米金刚石薄膜是实现其在电子工业中应用的关键。针对CVD方法制备的氮掺杂纳米金刚石薄膜中杂质元素偏聚于晶界，很难掺入到纳米金刚石晶粒中，而使纳米晶粒对导电贡献不大，薄膜的Hall迁移率低等问题。本项目提出采用离子注入方法，将磷同时掺入到纳米金刚石晶粒和晶界中，控制磷离子剂量在较小范围并调控退火温度，系统研究磷离子注入剂量和退火温度与纳米晶粒尺寸、晶粒导电性能和缺陷态、晶界宽度、晶界导电性能和薄膜导电性能的关系，以在纳米金刚石晶粒中获得合适的掺杂水平，减小离化杂质散射和离子注入的损伤，使纳米晶粒和晶界具有良好n型导电性能，大幅提高磷掺杂纳米金刚石薄膜的Hall迁移率和电导率；理解磷掺杂纳米金刚石薄膜的导电机理，获得高电导率n型纳米金刚石薄膜的制备技术，对实现纳米金刚石薄膜在电子工业上的应用具有重要意义。 |
2楼2011-11-02 12:20:11
