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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 有人能帮我确定半导体材料是N型还是P型吗？
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学术CR7

银虫 (小有名气)
可以用灵敏电流计测
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加油哦
11楼2011-08-12 01:47:05
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mysu

银虫 (小有名气)
★
lpszk(金币+1): 鼓励交流 2011-08-14 18:19:38
电阻升高的那个掺杂剂是通过机械研磨掺的氧化镁，而电阻降低的那个是镁处于替代位。
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12楼2011-08-14 10:59:44
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shy8281

木虫 (小有名气)
测一下Seebeck系数，正的为P，负的为N
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sunhy
13楼2011-09-15 17:54:25
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chan_andy

木虫 (正式写手)
这个做成场效应管的器件，测试一下就知道了？
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14楼2011-09-17 10:34:33
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相信-自己

木虫 (职业作家)
引用回帖:
12楼: Originally posted by mysu at 2011-08-14 10:59:44:
电阻升高的那个掺杂剂是通过机械研磨掺的氧化镁，而电阻降低的那个是镁处于替代位。

楼主 我是外行 想问个简单问题啊

机械研磨怎么能掺杂进去啊，不会破坏原来的材料么？
怎样确定镁是处于替代位啊？
指导一下啊
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15楼2011-09-29 23:12:19
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fegnzaixie

木虫 (著名写手)
N型半导体还是P型半导体的确认方法也比较简单吧首先你先确定半导体材料中，哪个是dopant,然后看dopant在半导体中是属于提供电子还是接受电子。比如SI的材料中，如果掺杂了少数的P，由于P代替了一个SI，SI是四价，P是5价,那么取代SI后的P还有一个多余的电子，那么这个电子就有可以公有化，所以材料就是N型半导体。P型半导体的判断方法也是一样的。这是定性的一个判断方法
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16楼2011-09-30 08:24:38
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mysu

银虫 (小有名气)
我想测试下未掺杂前的材料是N型还是P型。
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17楼2011-10-07 08:09:29
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mysu

银虫 (小有名气)
引用回帖:
10楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2011-08-11 19:00:57:
可能两种金属深能级的角色不一样，一个是深施主，一个是深受主。。可以测测霍尔。你掺杂的金属是主流的掺杂剂吗？是替位还是间隙？

掺的是Mg2+离子，机械研磨掺杂估计是间隙，而第二种方法为替位式。
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18楼2011-10-07 08:18:08
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员
引用回帖:
18楼: Originally posted by mysu at 2011-10-07 08:18:08:
掺的是Mg2+离子，机械研磨掺杂估计是间隙，而第二种方法为替位式。

1.机械研磨的细节是什么？如果只是表面研磨得话，不太可能进入晶格，间隙也不好说，可能只是被研磨得半导体表面由于研磨带来的损伤而使表面层的晶体结构变差（比如应力应变导致的局部小缺陷、晶界），载流子收到这些缺陷、晶界的散射其迁移率变低，电阻率就变高。
2.如果确认是替位掺杂，那么Mg是施主还是受主？如果是施主，掺杂后电阻率变低，那么你的材料应该是N型。反之，则是P型。
3.高阻半导体也分是高补偿还是高纯的。你确定你的材料的纯度之后可以选择合适的表征方法来测一下载流子浓度和导电型号。
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是金子总会发光！！！
19楼2011-10-07 13:39:27
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mysu

银虫 (小有名气)
引用回帖:
19楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2011-10-07 13:39:27:
1.机械研磨的细节是什么？如果只是表面研磨得话，不太可能进入晶格，间隙也不好说，可能只是被研磨得半导体表面由于研磨带来的损伤而使表面层的晶体结构变差（比如应力应变导致的局部小缺陷、晶界），载流子收到 ...

1.机械研磨是用MgO做掺杂剂，将混合物放置研钵中，研磨2h。按照您的解释，好像属于表面研磨。那么怎么才能使mg离子进入晶格中呢？研磨后，高温煅烧可以吗？
2.根据您的解释，替位式掺杂的mg是受主，那么材料应该为P型。

谢谢您的提示。
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20楼2011-10-08 21:17:55
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