应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 有人能帮我确定半导体材料是N型还是P型吗？
272/3返回列表上一页123下一页
查看: 4831  |  回复: 26
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

学术CR7

银虫 (小有名气)
可以用灵敏电流计测
赞一下 回复此楼
加油哦
11楼2011-08-12 01:47:05
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

mysu

银虫 (小有名气)
★
lpszk(金币+1): 鼓励交流 2011-08-14 18:19:38
电阻升高的那个掺杂剂是通过机械研磨掺的氧化镁，而电阻降低的那个是镁处于替代位。
赞一下(1人) 回复此楼
12楼2011-08-14 10:59:44
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

shy8281

木虫 (小有名气)
测一下Seebeck系数，正的为P，负的为N
赞一下 回复此楼
sunhy
13楼2011-09-15 17:54:25
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

chan_andy

木虫 (正式写手)
这个做成场效应管的器件，测试一下就知道了？
赞一下 回复此楼
14楼2011-09-17 10:34:33
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

相信-自己

木虫 (职业作家)
引用回帖:
12楼: Originally posted by mysu at 2011-08-14 10:59:44:
电阻升高的那个掺杂剂是通过机械研磨掺的氧化镁，而电阻降低的那个是镁处于替代位。

楼主 我是外行 想问个简单问题啊

机械研磨怎么能掺杂进去啊，不会破坏原来的材料么？
怎样确定镁是处于替代位啊？
指导一下啊
赞一下 回复此楼
15楼2011-09-29 23:12:19
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

fegnzaixie

木虫 (著名写手)
N型半导体还是P型半导体的确认方法也比较简单吧首先你先确定半导体材料中，哪个是dopant,然后看dopant在半导体中是属于提供电子还是接受电子。比如SI的材料中，如果掺杂了少数的P，由于P代替了一个SI，SI是四价，P是5价,那么取代SI后的P还有一个多余的电子，那么这个电子就有可以公有化，所以材料就是N型半导体。P型半导体的判断方法也是一样的。这是定性的一个判断方法
赞一下 回复此楼
16楼2011-09-30 08:24:38
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

mysu

银虫 (小有名气)
我想测试下未掺杂前的材料是N型还是P型。
赞一下 回复此楼
17楼2011-10-07 08:09:29
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

mysu

银虫 (小有名气)
引用回帖:
10楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2011-08-11 19:00:57:
可能两种金属深能级的角色不一样，一个是深施主，一个是深受主。。可以测测霍尔。你掺杂的金属是主流的掺杂剂吗？是替位还是间隙？

掺的是Mg2+离子，机械研磨掺杂估计是间隙，而第二种方法为替位式。
赞一下 回复此楼
18楼2011-10-07 08:18:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员
引用回帖:
18楼: Originally posted by mysu at 2011-10-07 08:18:08:
掺的是Mg2+离子，机械研磨掺杂估计是间隙，而第二种方法为替位式。

1.机械研磨的细节是什么？如果只是表面研磨得话，不太可能进入晶格，间隙也不好说，可能只是被研磨得半导体表面由于研磨带来的损伤而使表面层的晶体结构变差（比如应力应变导致的局部小缺陷、晶界），载流子收到这些缺陷、晶界的散射其迁移率变低，电阻率就变高。
2.如果确认是替位掺杂，那么Mg是施主还是受主？如果是施主，掺杂后电阻率变低，那么你的材料应该是N型。反之，则是P型。
3.高阻半导体也分是高补偿还是高纯的。你确定你的材料的纯度之后可以选择合适的表征方法来测一下载流子浓度和导电型号。
赞一下 回复此楼
是金子总会发光！！！
19楼2011-10-07 13:39:27
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

mysu

银虫 (小有名气)
引用回帖:
19楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2011-10-07 13:39:27:
1.机械研磨的细节是什么？如果只是表面研磨得话，不太可能进入晶格，间隙也不好说，可能只是被研磨得半导体表面由于研磨带来的损伤而使表面层的晶体结构变差（比如应力应变导致的局部小缺陷、晶界），载流子收到 ...

1.机械研磨是用MgO做掺杂剂，将混合物放置研钵中，研磨2h。按照您的解释，好像属于表面研磨。那么怎么才能使mg离子进入晶格中呢？研磨后，高温煅烧可以吗？
2.根据您的解释，替位式掺杂的mg是受主，那么材料应该为P型。

谢谢您的提示。
赞一下 回复此楼
20楼2011-10-08 21:17:55
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 mysu 的主题更新
272/3返回列表上一页123下一页
普通表情 龙 兔 虎 猫
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 298求调剂 +3 上岸6666@ 2026-03-20 3/150 2026-03-21 16:49 by barlinike
[考研] 生物学一志愿985，分数349求调剂 +3 zxts12 2026-03-21 3/150 2026-03-21 16:34 by 33来了真来了
[考研] 268求调剂 +9 简单点0 2026-03-17 9/450 2026-03-21 15:37 by lature00
[考研] 332求调剂 +4 ydfyh 2026-03-17 4/200 2026-03-21 02:20 by JourneyLucky
[考研] 324分 085600材料化工求调剂 +4 llllkkkhh 2026-03-18 4/200 2026-03-21 01:24 by JourneyLucky
[考研] 304求调剂 +6 曼殊2266 2026-03-18 6/300 2026-03-21 00:32 by JourneyLucky
[考研] 22408 344分 求调剂 一志愿 华电计算机技术 +4 solanXXX 2026-03-20 4/200 2026-03-20 23:49 by alg094825
[考研] 材料学硕297已过四六级求调剂推荐 +11 adaie 2026-03-19 11/550 2026-03-20 21:30 by laoshidan
[考研] 295材料求调剂，一志愿武汉理工085601专硕 +5 Charlieyq 2026-03-19 5/250 2026-03-20 20:35 by JourneyLucky
[考研] 一志愿南理工085701环境302求调剂院校 +3 葵梓卫队 2026-03-20 3/150 2026-03-20 19:28 by zhukairuo
[考研] 298-一志愿中国农业大学-求调剂 +9 手机用户 2026-03-17 9/450 2026-03-20 14:24 by 无懈可击111
[考研] 一志愿中国海洋大学，生物学，301分，求调剂 +5 1孙悟空 2026-03-17 6/300 2026-03-19 23:46 by zcl123
[考研] 材料与化工求调剂 +7 为学666 2026-03-16 7/350 2026-03-19 14:48 by 尽舜尧1
[考研] 0703化学 305求调剂 +4 FY_yy 2026-03-14 4/200 2026-03-19 05:54 by anny19840123
[考研] 312求调剂 +8 陌宸希 2026-03-16 9/450 2026-03-18 12:39 by Linda Hu
[考研] 材料，纺织，生物（0856、0710），化学招生啦 +3 Eember. 2026-03-17 9/450 2026-03-18 10:28 by Eember.
[考研] 277调剂 +5 自由煎饼果子 2026-03-16 6/300 2026-03-17 19:26 by 李leezz
[考研] 材料专硕326求调剂 +6 墨煜姒莘 2026-03-15 7/350 2026-03-17 17:10 by ruiyingmiao
[考研] 0856专硕279求调剂 +5 加油加油！? 2026-03-15 5/250 2026-03-15 11:58 by 2020015
[考研] 本科南京大学一志愿川大药学327 +3 麦田耕者 2026-03-14 3/150 2026-03-14 20:04 by 外星文明
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭