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求助关于硅二极管在光照下的光电转换效率的问题
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我用硅二极管标定光源,然后根据其I-V曲线计算光源的光照强度,但是有个问题很疑惑,通过计算硅二极管的光电转换效率只有3%左右。请教各位大牛这是为什么呢?按道理来说硅太阳能电池的效率应该至少在15%以上,但是为什么我的这么低呢?是我计算的方法有问题吗?? 我的计算如下: 在100mW/cm-2的关照条件下,标准硅电池的短路电流为0.783mA,然后我通过照射我的硅基电池得到其I-V曲线,然后得到其Isc。设实际光照强度为x,那么 100mW/cm-2/0.783mA=Isc/x 即可求出实际光强x。但是我处于好奇根据这个I-V计算了其光电效率,计算过程如下 n=Jsc×Voc×ff/Pin(实际光强) 算出来3%左右。 为什么????????为什么啊????? ![]() ![]() ![]() ![]() |
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