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luoyanzhu

铜虫 (小有名气)

[求助] EIS分析

大家好,最近分析数据的时候遇到问题,两者分别是聚合物包覆前和包覆后的EIS图。想向大家请教一下,为什么包覆前是一个大的半圆,包覆后是两个半圆,这说明了什么问题。他们的拟合电路是不是不一样啊,应该怎么确定。希望大家不吝赐教,谢谢大家!


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战国时代

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

zlin(ECEPI+1): 鼓励应助! 2011-07-22 15:19:38
引用回帖:
Originally posted by luoyanzhu at 2011-07-21 16:48:18:
大家好,最近分析数据的时候遇到问题,两者分别是聚合物包覆前和包覆后的EIS图。想向大家请教一下,为什么包覆前是一个大的半圆,包覆后是两个半圆,这说明了什么问题。他们的拟合电路是不是不一样啊,应该怎么确 ...

lz不知道您的体系和测试参数,只能凭借自己试验的经验了 呵呵
包覆前
在高频是一个容抗弧,低频为一个韦伯阻抗扩散弧,现当于一个半无限扩散。但是你模拟的阻抗图感觉不是扩散弧,而是一条垂线,感觉像是阻挡层扩散弧。
包覆后
高频是一个容抗弧,低频仍为一个半径较大的容抗弧,可能这时候相当于一个有限层扩散。
模拟图感觉同上。
仅为个人看法,请lz三思。
呵呵 goodluck
2楼2011-07-21 19:16:19
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zlin

荣誉版主 (知名作家)

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【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by 战国时代 at 2011-07-21 19:16:19:
lz不知道您的体系和测试参数,只能凭借自己试验的经验了 呵呵
包覆前
在高频是一个容抗弧,低频为一个韦伯阻抗扩散弧,现当于一个半无限扩散。但是你模拟的阻抗图感觉不是扩散弧,而是一条垂线,感觉像是阻挡 ...

包覆之后出现两个容抗弧,这样拟合的时候更改等效电路的
应该再多串联一个(RC)或者(RQ)电路
只有初恋般的热情和宗教般的意志,人才有可能成就某种事业——路遥
3楼2011-07-22 15:21:27
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