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[交流] 可用于制造耐用半导体的金属氮化物

最新研究显示，在极端条件下人工合成的贵金属氮化物具有一些不寻常的，甚至是独一无二的性质，它们可以用于半导体、超导体和防腐器材。
过渡金属氮化物在理论上和技术上都很重要，因为它们具有很强的硬度和耐久性，而且因为在光学、电子学和磁学上的独特性质，它们在很多方面都很有用。
　　美国劳伦斯•利沃摩尔国家实验室、华盛顿卡内基研究所、英国原子武器研究所的科学家们利用金刚石砧压腔产生高压、激光产生高温，首次人工合成了贵金属铱的氮化物。贵金属是那些不容易与其它元素形成化合物的元素。结合实验结果和第一性原理模型，科学家们还得到了已知的氮化铂的结构和体积弹性模量（反映材料硬度的量）。实验结果证实，由于它们的耐久性和可靠性，它们在半导体工业中很有用。
　　利沃摩尔实验室化学与材料科学理事Jonathan Crowhurst说：“这个工作扩展了我们对氮化铂和氮化铱的认识，证明了这些氮化物的存在性，并且说明它们奇特的物理性质至少会在大规模合成生产中发挥作用。例如，氮化铂的体积弹性模量比已知的超硬立方氮化硼还要大。”
　　目前，半导体工业中应用的是氮化钛，它具有很高的强度和耐久性，但是新氮化物的耐久性比氮化钛更强。
　　氮化铂的合成条件是大约50吉帕（五十万个大气压强）和2000开尔文，氮化铱的合成条件也差不多：47吉帕和1600开尔文。
　　接下来，研究人员计划找到一种把新氮化物投入工业生产的方法。
　　这项研究以《氮化铂和氮化铱的合成与特征》的标题发表在3月3日的Science杂志上，作者包括Jonathan Crowhurst、Babak Sadigh、Cheryl Evans、James Ferreira和Art Nelson。

[ Last edited by luo.henry on 2008-4-10 at 14:02 ]

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