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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 有人做二氧化钛掺杂第一性原理计算的吗
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楼1970-01-01 08:00:00
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valenhou001

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youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-07-06 19:21:06
前面回帖中提到的带隙低估，主要指掺杂前的。带隙算不准、随之掺杂物所引入的能级相对价带顶或导带底的位置不能准确确定。
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5楼2011-07-06 16:07:10
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convenient

铁虫 (小有名气)
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franch(金币+3): 谢谢回帖交流 2011-07-04 18:18:20
引用回帖:
Originally posted by 飘在空中的雨 at 2011-07-04 15:23:50:
交流交流

我是做吸附上物质，再做掺杂
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认真生活
2楼2011-07-04 17:15:01
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
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zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-07-06 14:13:26
这个材料的掺杂计算太多了。同其他的半导体性过渡金属氧化的计算一样，LDA/GGA对带隙低估，是很多掺杂和缺陷研究的一个不可回避的问题。
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3楼2011-07-05 13:22:49
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convenient

铁虫 (小有名气)
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引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2011-07-05 13:22:49:
这个材料的掺杂计算太多了。同其他的半导体性过渡金属氧化的计算一样，LDA/GGA对带隙低估，是很多掺杂和缺陷研究的一个不可回避的问题。

有时候能隙几乎分辨不出来
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认真生活
4楼2011-07-05 18:41:23
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