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qingyun555银虫 (初入文坛)
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关于引起能隙的原因问题讨论
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对于好多种不同的能隙，主导原因也有多种，有点晕， 专业的高手能否介绍下普通带隙、电荷转移型带隙、赝能隙、mott绝缘体带隙、晶场劈裂隙等的区别与联系 有没有其他原因主导引起的带隙呢？ |
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【答案】应助回帖
qingyun555(金币+1): 谢谢参与讨论 2011-06-25 00:01:20
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紧束缚情形下的带隙是由于该原子的电子能态受到周围原子的电子能态的微扰（从而改变了其对称性）导致其能级发生劈裂，越是外层的电子能级劈裂程度越大，因为受到的微扰越大。原子电子的各个能级的劈裂叠加在一起就形成能带了，带隙就是能级间隔较大的间隔，或者说带与带之间的空隙。 弱束缚，也就是近自由电子近似的情形，电子的波函数（自由电子的波函数是平面波）是全域（空间上延展到整个晶体）的，受到具有晶体周期性（也是对称性）的晶体势场的作用而成为布洛赫波函数（即受具有晶格周期性的函数调制的平面波），这时电子的对称性发生改变，从全空间的对称性缩小到离散的晶格的对称性，这种对称性的改变就导致了原本自由电子的能级在布里渊边界上发生跃变，变得不那么准“连续”。这样原本准连续的一系列能级（抛物线型），就被那些跃变给切成了一段一段的，也即能带。 就知道这么多，上述二者应该属于普通带隙或晶场带隙的情形吧。  |
2楼2011-06-24 17:03:21
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4楼2011-06-26 10:49:38
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5楼2011-06-26 20:13:50
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6楼2011-06-27 16:07:14
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