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enola

捐助贵宾 (正式写手)

[交流] 体系总能量与结构

假设我们有一个固定原子数目的超饱，在相同的赝势下，决定这个体系总能量的是原子的位置，以及相应的电荷密度。因此在结构优化时，要不停的调整离子的位置和电荷密度，优化结构，以达到最低的总能量。
现在假设我们有SiO2的一个超饱（MD后，假设是amorphous的），包含64个O和32个Si,人为的移去一个O（总共可以有64种空位），引入一个氧空位的缺陷，接下来再进行结构优化。结果显示是有些氧空位，超饱中的离子位置不需要移动很多，就可以达到能量最低，而有些则移动很多才能达到稳定态。对此我的解释如下：
1.那些需要离子移动很少的case，可能原先被移走的O本来就处于不稳定态（amorphous结构），移走它正好有利于电子密度的重新分布，而获得最低能。
2。那些需要离子移动很多的case，本来就处于稳定态，移走后打破了原先的稳定态，因此需要重新排布，这导致离子位移很大。
但这个解释的问题是，怎么重结构上去确定这个O到底是稳定的还是不稳定的呢？（O的键数，或者临近的Si原子数。。。）
解释很粗糙，请各位大虾们指点阿。。。谢谢。。
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1楼 2011-06-10 14:28:02
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xiaohunhun

木虫 (著名写手)
★ ★
enola(金币+1):谢谢参与
enola(金币+1): 哈哈，重出江湖。。。 2011-06-12 14:49:06
zzy870720z(金币+1): 谢谢建议 2011-08-30 10:55:56
把晶胞搞小一点，自己试试，换换空穴位置，从小往大做，关注一下那个空穴，看看能出现什么。
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2楼2011-06-12 10:32:50
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s20080718

金虫 (著名写手)
★
enola(金币+1):谢谢参与
空位能量怎么计算的，楼主知道不？
赞一下(1人) 回复此楼
3楼2011-08-29 11:02:49
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