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体系总能量与结构
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假设我们有一个固定原子数目的超饱，在相同的赝势下，决定这个体系总能量的是原子的位置，以及相应的电荷密度。因此在结构优化时，要不停的调整离子的位置和电荷密度，优化结构，以达到最低的总能量。 现在假设我们有SiO2的一个超饱（MD后，假设是amorphous的），包含64个O和32个Si,人为的移去一个O（总共可以有64种空位），引入一个氧空位的缺陷，接下来再进行结构优化。结果显示是有些氧空位，超饱中的离子位置不需要移动很多，就可以达到能量最低，而有些则移动很多才能达到稳定态。对此我的解释如下： 1.那些需要离子移动很少的case，可能原先被移走的O本来就处于不稳定态（amorphous结构），移走它正好有利于电子密度的重新分布，而获得最低能。 2。那些需要离子移动很多的case，本来就处于稳定态，移走后打破了原先的稳定态，因此需要重新排布，这导致离子位移很大。 但这个解释的问题是，怎么重结构上去确定这个O到底是稳定的还是不稳定的呢？（O的键数，或者临近的Si原子数。。。） 解释很粗糙，请各位大虾们指点阿。。。  谢谢。。 |
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