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yangac_

至尊木虫 (著名写手)

[求助] Pl光致发光的半高宽的大小说明了什么？

Pl光致发光的半高宽的大小说明了什么？了解XRD的半高宽表示结晶度程度，而PL的半高宽说明了什么呢？请高手指点！
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发光 半导体发光 学术

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上善若水任方圆
1楼 2011-05-25 11:14:57
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pinyun

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by yangac_ at 2011-05-26 14:57:39:
纳米膜制备：在Si片上溅射SiO2和Au，然后退火得到的颗粒膜；
纳米线制备：在si片上只溅射Au,然后退火时放了Si粉得到纳米线。
这应该属于掺杂吧，是不是Au的量调整了带隙？其中的SiO2都是非晶的。
谢谢您的指 ...

金Au在硅中电离后产生两个能级，一个在价带上面0.35ev处的施主能级 ，它在P型硅中起主要作用。另一个在导带下面0.54ev处的受主能级 ，你看下这个吧，看对你有用没，你可以分析一下啊。。既然在禁带中引入能级，那么说明可能存在杂质和导带，杂质和禁带之间的辐射复合，而这些杂质可能会变长广延态的，而离导带和价带又比较近，可能辐射符合时发光就附着在你的本征峰上面了。造成发光峰宽化。
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努力可能会失败，但放弃则意味着你根本不可能成功！
6楼2011-05-26 22:12:05
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polymerled

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
xjajx(金币+1): 鼓励有价值回复 2011-05-25 18:53:17
yangac_(金币+3): 2011-06-01 15:37:20
LZ这问题包含面太广了
影响PL的因素多
包括发色团的化学结构、共轭范围、测试温度、浓度、分子交互作用、激发强度…
如果这些因素不能确定
通常PL的半高宽就无法特别说明什么了
不过一般的趋势是短共轭、低浓度、低温度时会强化PL光谱的次结构
另外发色体间的交互作用（excimer/exciplex、aggregate…等）会产生新的放射峰，这时候PL看起来就可能变的又宽又奇特
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2楼2011-05-25 12:09:03
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yangac_

至尊木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by polymerled at 2011-05-25 06:09:03:
LZ这问题包含面太广了
影响PL的因素多
包括发色团的化学结构、共轭范围、测试温度、浓度、分子交互作用、激发强度…
如果这些因素不能确定
通常PL的半高宽就无法特别说明什么了
不过一般的趋势是短共轭、低浓 ...

谢谢你的回答，虽然不是非常的明白，起码了解有关起因，但是还是给您送束花表示感谢了。我做的Au/SiO2纳米颗粒膜和SiO2纳米线，主要是研究发光峰的来源很少关注半高宽的代表意义，上次博士面试问了我这个问题，很是尴尬！
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上善若水任方圆
3楼2011-05-25 20:23:47
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pinyun

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-25 22:01:55
yangac_(金币+2): 2011-06-01 15:37:30
你掺杂了吗？如果掺杂了，峰变化可能是调整了带隙。。如果没掺杂在一定程度上说明了样品的结晶情况。因为峰越尖锐说明带边杂志较少，比较干净。
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努力可能会失败，但放弃则意味着你根本不可能成功！
4楼2011-05-25 21:39:41
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