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kbt828

铁虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 52.4
帖子: 19
在线: 7.1小时
虫号: 1293958
注册: 2011-05-12
性别: GG
专业: 半导体材料

[求助] 水热法进行ZnO纳米结构掺杂

如题，用水热法进行ZnO纳米结构材料的掺杂，包括p型掺杂（申德振他们课题组报道过几次）。靠谱么？
水热法除了生长温度低节约能源环保之外，在生长材料方面有什么优点没？貌似水热法制备的本征材料晶体质量还不如CVD及其他方法，而且掺杂难度也极大
水热法进行ZnO的掺杂，包括p型掺杂和能带调节掺杂，有什么有效的手段没？

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博观而约取，厚积而薄发。

1楼 2011-05-19 09:26:51

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

anannana

木虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
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虫号: 1724969
注册: 2012-03-29
性别: MM
专业: 电化学

引用回帖:

2481571楼: Originally posted by guody at 2013-03-02 10:49:45
请问你是怎么表征掺杂离子进去了？
比如掺杂离子可能以氧化物形式附着在ZnO晶粒表面，而不是进入了晶粒晶格中。
我们最近进行了TEM观察掺杂离子在薄膜中的分布，发现掺杂离子集中在晶界处，而在晶粒内没有观察到 ...

一般会测紫外-可见吸收，会有相关掺杂离子的跃迁峰出现，掺杂是肯定是少量的，你说的那种现象肯定是会有的