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jluxiaoxi

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by yn6319 at 2011-05-17 19:05:38:
https://g.zhubajie.com/urllink.php?id=111328825gkefb7p4miehu9y
这个光子能量hv是普朗克常数和光的频率的乘积,h=4.13*10^-15eV,v是光的频率,即波长的倒数,波长从300nm到800nm,那么hv怎么得到3点 ...

楼主看你就不像做半导体材料的啊!“v是光的频率,即波长的倒数”这是火星老师讲的吧。你直接算倒数肯定不对啊!波长*频率=光速啊
还有不用这么复杂的计算,有简单的公式将波长、频率对应的光子能量算出来
E=1024/波长(nm) eV。1024这个数包括普朗克常数,光速,电子电量的关系
11楼2011-05-20 13:36:55
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

切线在横轴的交点就是带隙Eg。
Eg=hν
λν=c,
其中:h是普朗克常数;λ是波长;c是光速。
则:Eg=hc/λ
所以:Eg(eV)=hc/λ=1.2398/λ(μm)=1239.8/λ(nm)
1.2398一般写为1.240
没有困难创造困难也要上网。
12楼2011-05-20 13:55:21
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lavender_12

新虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by 059070225 at 2011-05-17 19:55:19:
1.这个图正确的应该是(ahv)^2~hv的曲线图,
其中a为吸收系数,a=-1/d*lnT,d为厚度(一般测禁带宽度时,使用的是薄膜样品,所以d即为膜厚);
2.图中的直线并不是直接通过测试的数据得到的,而是先画出(ahv) ...

你好,我想问一下,a=-1/(d*lnT)还是a=(-1/d)*lnT?
还有测出来的是T%,那往上述公式里面带入的时候是将T值带入还是将T%带入?
还有如果测出来的是吸收值abs(a.u.)那该如何转换为T值?
还有d值我应该从哪儿获得?
       谢谢
13楼2011-06-02 11:25:16
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yanyan008

银虫 (初入文坛)

哈,如果(ahv)^2~hv曲线图有2个斜坡,该用哪个的切线呢? 我是说一开始有个陡一点的斜坡,然后就变缓了,用哪个的切线呢?
14楼2011-06-02 12:16:58
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jluxiaoxi

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by lavender_12 at 2011-06-02 11:25:16:
你好,我想问一下,a=-1/(d*lnT)还是a=(-1/d)*lnT?
还有测出来的是T%,那往上述公式里面带入的时候是将T值带入还是将T%带入?
还有如果测出来的是吸收值abs(a.u.)那该如何转换为T值?
还有d值我应该 ...

我看这个帖子有浮起来了,好奇进来再看一眼。呵呵
其实你不用想这么复杂的公式,仪器给出的数你就认为它姑且代表这个含义吧,特别是纵坐标,他不会影响你的最终结果,只是一个相对标尺而已。
简单的做法:
1.把反射普数据导入origin
2.对两栏的数据进行运算,col(c)=1240/col(a)设置为X轴,col(d)=(col(b)*1240/col(a))平方,设置为y轴
3.用c,d两栏数据作图就OK了
前面的回帖打字忘了,把1240打成1024了,这两个数对我的敏感度一样 抱歉
15楼2011-06-02 12:22:33
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lavender_12

新虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by jluxiaoxi at 2011-06-02 12:22:33:
我看这个帖子有浮起来了,好奇进来再看一眼。呵呵
其实你不用想这么复杂的公式,仪器给出的数你就认为它姑且代表这个含义吧,特别是纵坐标,他不会影响你的最终结果,只是一个相对标尺而已。
简单的做法:
...

这样作图的话,只是得到了(ahv)^2与hv曲线图,然后模拟了之后,得到一个函数,然后还要求拐点?做通过拐点的切线?然后此切线与横左边的交点才是所求的值?
那么是怎么求拐点的?
16楼2011-06-03 21:27:33
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059070225

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by lavender_12 at 2011-06-02 11:25:16:
你好,我想问一下,a=-1/(d*lnT)还是a=(-1/d)*lnT?
还有测出来的是T%,那往上述公式里面带入的时候是将T值带入还是将T%带入?
还有如果测出来的是吸收值abs(a.u.)那该如何转换为T值?
还有d值我应该 ...

对您所提的问题回答如下:
1.a=-(1/d)*lnT;
2.如果测出来的是T%,应该直接以T%值代入公式,比如说T%=80%,代入公式时就应该以0.8代入而不是80;
3.如果测出来的是吸收值abs(a.u.),不需要转换成T值计算,直接代入公式:a=(2.303*Abs)/d,d为厚度,计算就可以了;
4.如果你的样品是薄膜,厚度d可以通过SEM测断面图来得到;如果是粉末的话,就只能估计一下了,很难测准;如果是液体的话,d就是比色皿的厚度;建议以薄膜的形态来测;
希望解答能对你有所帮助O(∩_∩)O~
17楼2011-06-07 18:04:55
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qianshou

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

还要考虑半导体是直接带隙还是间接带隙,否则结果是错的,上面的回答不太全面,建议找一个这方面的书看看,
18楼2011-06-08 08:17:40
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lavender_12

新虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by 059070225 at 2011-06-07 18:04:55:
对您所提的问题回答如下:
1.a=-(1/d)*lnT;
2.如果测出来的是T%,应该直接以T%值代入公式,比如说T%=80%,代入公式时就应该以0.8代入而不是80;
3.如果测出来的是吸收值abs(a.u.),不需要转换成T值计算 ...

谢谢回答的这么详细。
不过由于样品室粉末,所以,d值就没法测算了。
还想问一下T%和abs(a.u.)是这样的关系吗,T%=(100-abs(a.u.))%?
19楼2011-06-08 10:43:47
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lavender_12

新虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by qianshou at 2011-06-08 08:17:40:
还要考虑半导体是直接带隙还是间接带隙,否则结果是错的,上面的回答不太全面,建议找一个这方面的书看看,

我想问一下我怎么判断我所测的半导体是直接带隙还是间接带隙?或者我应该去找哪本书看?能不能推荐一本书?有木有具体的书名啥的?谢谢
20楼2011-06-08 10:46:23
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