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jluxiaoxi

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by yn6319 at 2011-05-17 19:05:38:
https://g.zhubajie.com/urllink.php?id=111328825gkefb7p4miehu9y
这个光子能量hv是普朗克常数和光的频率的乘积，h=4.13*10^-15eV,v是光的频率，即波长的倒数，波长从300nm到800nm，那么hv怎么得到3点 ...

楼主看你就不像做半导体材料的啊！“v是光的频率，即波长的倒数”这是火星老师讲的吧。你直接算倒数肯定不对啊！波长*频率=光速啊
还有不用这么复杂的计算，有简单的公式将波长、频率对应的光子能量算出来
E=1024/波长（nm) eV。1024这个数包括普朗克常数，光速，电子电量的关系
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11楼2011-05-20 13:36:55
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

切线在横轴的交点就是带隙Eg。
Eg＝hν
λν＝c，
其中：h是普朗克常数；λ是波长；c是光速。
则:Eg＝hc/λ
所以：Eg(eV)=hc/λ=1.2398/λ(μm)=1239.8/λ(nm)
1.2398一般写为1.240
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没有困难创造困难也要上网。
12楼2011-05-20 13:55:21
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lavender_12

新虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by 059070225 at 2011-05-17 19:55:19:
1.这个图正确的应该是（ahv）^2~hv的曲线图，
其中a为吸收系数，a=-1/d*lnT,d为厚度（一般测禁带宽度时，使用的是薄膜样品，所以d即为膜厚）；
2.图中的直线并不是直接通过测试的数据得到的，而是先画出（ahv） ...

你好，我想问一下，a=-1/（d*lnT）还是a=（-1/d）*lnT？
还有测出来的是T%，那往上述公式里面带入的时候是将T值带入还是将T%带入？
还有如果测出来的是吸收值abs（a.u.）那该如何转换为T值？
还有d值我应该从哪儿获得？
       谢谢
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13楼2011-06-02 11:25:16
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yanyan008

银虫 (初入文坛)
哈，如果（ahv）^2~hv曲线图有2个斜坡，该用哪个的切线呢？ 我是说一开始有个陡一点的斜坡，然后就变缓了，用哪个的切线呢？
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14楼2011-06-02 12:16:58
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jluxiaoxi

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by lavender_12 at 2011-06-02 11:25:16:
你好，我想问一下，a=-1/（d*lnT）还是a=（-1/d）*lnT？
还有测出来的是T%，那往上述公式里面带入的时候是将T值带入还是将T%带入？
还有如果测出来的是吸收值abs（a.u.）那该如何转换为T值？
还有d值我应该 ...

我看这个帖子有浮起来了，好奇进来再看一眼。呵呵
其实你不用想这么复杂的公式，仪器给出的数你就认为它姑且代表这个含义吧，特别是纵坐标，他不会影响你的最终结果，只是一个相对标尺而已。
简单的做法：
1.把反射普数据导入origin
2.对两栏的数据进行运算，col(c)=1240/col(a)设置为X轴，col(d)=(col(b)*1240/col(a))平方，设置为y轴
3.用c,d两栏数据作图就OK了
前面的回帖打字忘了，把1240打成1024了，这两个数对我的敏感度一样 抱歉
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15楼2011-06-02 12:22:33
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lavender_12

新虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by jluxiaoxi at 2011-06-02 12:22:33:
我看这个帖子有浮起来了，好奇进来再看一眼。呵呵
其实你不用想这么复杂的公式，仪器给出的数你就认为它姑且代表这个含义吧，特别是纵坐标，他不会影响你的最终结果，只是一个相对标尺而已。
简单的做法：
...

这样作图的话，只是得到了（ahv）^2与hv曲线图，然后模拟了之后，得到一个函数，然后还要求拐点？做通过拐点的切线？然后此切线与横左边的交点才是所求的值？
那么是怎么求拐点的？
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16楼2011-06-03 21:27:33
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059070225

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by lavender_12 at 2011-06-02 11:25:16:
你好，我想问一下，a=-1/（d*lnT）还是a=（-1/d）*lnT？
还有测出来的是T%，那往上述公式里面带入的时候是将T值带入还是将T%带入？
还有如果测出来的是吸收值abs（a.u.）那该如何转换为T值？
还有d值我应该 ...

对您所提的问题回答如下：
1.a=-(1/d）*lnT；
2.如果测出来的是T%，应该直接以T%值代入公式，比如说T%=80%，代入公式时就应该以0.8代入而不是80；
3.如果测出来的是吸收值abs（a.u.），不需要转换成T值计算，直接代入公式：a=（2.303*Abs）/d，d为厚度，计算就可以了；
4.如果你的样品是薄膜，厚度d可以通过SEM测断面图来得到；如果是粉末的话，就只能估计一下了，很难测准；如果是液体的话，d就是比色皿的厚度；建议以薄膜的形态来测；
希望解答能对你有所帮助O(∩_∩)O~
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17楼2011-06-07 18:04:55
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qianshou

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

还要考虑半导体是直接带隙还是间接带隙,否则结果是错的,上面的回答不太全面,建议找一个这方面的书看看,
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18楼2011-06-08 08:17:40
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lavender_12

新虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by 059070225 at 2011-06-07 18:04:55:
对您所提的问题回答如下：
1.a=-(1/d）*lnT；
2.如果测出来的是T%，应该直接以T%值代入公式，比如说T%=80%，代入公式时就应该以0.8代入而不是80；
3.如果测出来的是吸收值abs（a.u.），不需要转换成T值计算 ...

谢谢回答的这么详细。
不过由于样品室粉末，所以，d值就没法测算了。
还想问一下T%和abs(a.u.)是这样的关系吗，T%=(100-abs(a.u.))%?
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19楼2011-06-08 10:43:47
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lavender_12

新虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by qianshou at 2011-06-08 08:17:40:
还要考虑半导体是直接带隙还是间接带隙,否则结果是错的,上面的回答不太全面,建议找一个这方面的书看看,

我想问一下我怎么判断我所测的半导体是直接带隙还是间接带隙？或者我应该去找哪本书看？能不能推荐一本书？有木有具体的书名啥的？谢谢
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20楼2011-06-08 10:46:23
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