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zhoususheng

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖


wandaohzl(金币+1): 鼓励应助 2011-05-15 11:41:57
ZGmse(金币+1): 谢谢啦! 2011-05-17 14:31:34
ZnO的熔点是1975 °C,C的温度是3727 ℃,同学你的温度太低了,可以调到1000摄氏度以上。你可以看看VLS机理,这个是生长纳米线的机理,希望你能成功。
研究是一个成长的过程
11楼2011-05-15 11:23:40
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kbt828

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

ZGmse(金币+2): 多谢!!O(∩_∩)O~ 2011-05-17 14:31:50
我是做水热的,不过同实验室的同学有用CVD法长的,所以略了解些。
ZnO+C的话温度好像得>800度,Zn+C的话温度得>600度。
衬底最好先长层buffer(不长的话也可以长线,就是对参数要求更苛刻些),buffer可以用磁控或PLD长。
另外对反应时间,气体流量(摩尔比),还有衬底距源的距离等都有要求
博观而约取,厚积而薄发。
12楼2011-05-17 13:42:25
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堂堂csu

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by jluxiaoxi at 2011-05-13 16:25:08:
我个人觉得大牛做的东西就是早期独一无二的原始创新,但不一定是成熟的技术。现在长ZnO肯定要比杨长的好,不然能发文章吗?查查别的吧。
建议你做个种子层,然后随便弄个Zn源在水溶液中80度左右,肯定能长出来。 ...

做了种子层后,基底还需要别的处理吗?比如喷金什么的?谢谢!
13楼2011-06-09 19:34:51
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yipinchun

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

ZGmse(金币+2): 谢谢!不过感觉我们的设备无法实现,呵呵。 2011-06-11 18:27:00
引用回帖:
Originally posted by ZGmse at 2011-05-11 11:00:37:
都说CVD法生长ZnO纳米线很容易,但是我用ZnO粉和C粉做原料,用Si片(表面镀金膜)做衬底,却长不出来ZnO纳米线呢?我用杨培东那篇引用4000多的文章的tube-in-tube的方法,结果发现Si片上几乎没有什么沉积啊。用抽 ...

你可以参照我的方法
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn800527m

High-Quality ZnO Nanowire Arrays Directly Fabricated from Photoresists
-------------------------------------------------------------------------------------------------

光刻胶可以用非晶碳代替

http://iopscience.iop.org/0957-4484/21/47/475703
Vertically aligned ZnO/amorphous-Si core–shell heterostructured nanowire arrays

可以在硅片上实现竖直生长,无须载气,真空高温就可以了。

唯一的要求就是高温炉,机械泵能到到的真空-1torr左右。
-------------------------------------------------------------------------------------------------
碳热法很多因素要考虑,不同的炉子热电偶放置可能不一样,所以你需要调整你的温度,我觉得是需要升温。
信春哥,得永生
14楼2011-06-10 03:56:29
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coraldevil

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
Originally posted by yipinchun at 2011-06-10 03:56:29:
你可以参照我的方法
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn800527m

High-Quality ZnO Nanowire Arrays Directly Fabricated from Photoresists
------------------------------------------ ...

我看见你的第二篇文章中,在ZnO纳米线表面长非晶硅的时候,用的是在氢气中稀释到2%的硅烷气体,这个气体感觉很危险啊,硅烷遇空气燃烧,氢气遇明火即燃烧,如果是自己买那种管式炉来做实验,感觉很危险啊,不知道你们是怎么做这个气路的,特别是尾气的处理。
15楼2011-06-10 09:54:21
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yipinchun

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

ZGmse(金币+5): 2011-06-13 20:20:19
引用回帖:
Originally posted by coraldevil at 2011-06-10 09:54:21:
我看见你的第二篇文章中,在ZnO纳米线表面长非晶硅的时候,用的是在氢气中稀释到2%的硅烷气体,这个气体感觉很危险啊,硅烷遇空气燃烧,氢气遇明火即燃烧,如果是自己买那种管式炉来做实验,感觉很危险啊,不知 ...

这个实验对气路的密封性要求比较严格,我们的气路是全金属管,大部分回路都是在负压的环境里,而且用的是小管径的炉子。
信春哥,得永生
16楼2011-06-10 12:47:25
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yipinchun

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by coraldevil at 2011-06-10 09:54:21:
我看见你的第二篇文章中,在ZnO纳米线表面长非晶硅的时候,用的是在氢气中稀释到2%的硅烷气体,这个气体感觉很危险啊,硅烷遇空气燃烧,氢气遇明火即燃烧,如果是自己买那种管式炉来做实验,感觉很危险啊,不知 ...

学校有专门的负压抽气系统,我们是直接排入,因为反应的时间也不长,量也比较小,稀释了问题也不大。
信春哥,得永生
17楼2011-06-10 12:50:42
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coraldevil

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
Originally posted by yipinchun at 2011-06-10 12:50:42:
学校有专门的负压抽气系统,我们是直接排入,因为反应的时间也不长,量也比较小,稀释了问题也不大。

喔。。。非常感谢啊!
18楼2011-06-10 13:34:32
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dugu

木虫 (小有名气)

有兴趣可以看下这篇文章
One step synthesis of vertically aligned ZnO nanowire arrays with tunable length

气相法合成ZnO不值得花很长时间,呵呵~
书生老去机会方来
19楼2011-08-19 14:21:02
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mumuxue

木虫 (小有名气)

楼主,你在Si上镀上金膜,我强烈的想知道,你那个是单晶硅片吗,还有金靶材是实验室本来就有的还是你自己联系买的?我们老板现在要我自己去买,厂家看的我眼花缭乱,希望你知道的话指点我一下,不甚感激。
20楼2011-09-01 09:00:46
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