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Si负极充放电倍率问题
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tokeikoku
铁杆木虫
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[交流]
Si负极充放电倍率问题
最近在做一些Si负极材料的充放电测试,我看到很多文献上是用电流密度xx mA/g表示,而不用xx C来表示,这是为什么呢?
是否是因为Si的理论比容量很大,用C表示的话就会太小的缘故?
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2011-05-11 09:09:40
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tjjcsu
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tokeikoku(金币
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):谢谢参与
其实多少C多少C的单位还是mA/g,和直接用mA/g在本质上是一样的。况且,1
C具体为多少,也是不一定的。不同的材料应该是不同的。
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2楼
2011-05-11 10:10:07
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liucheng200883
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★
tokeikoku(金币
+1
):谢谢参与
习惯性而已,你用C表示时在文章中也要说明电池容量的啊,其实道理是一样的。只是表示方式不一样而已!
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3楼
2011-05-11 10:22:30
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是不是Si负极设定电流不会很大,一般不会超过0.1C?
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4楼
2011-05-11 14:16:00
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否则的话,Si的可逆性就会非常不好。而且电流较大时,放电平台过低,会导致放电时间减少的。不知对否?
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5楼
2011-05-11 14:18:06
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tokeikoku
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引用回帖:
Originally posted by
liucheng200883
at 2011-05-11 10:22:30:
习惯性而已,你用C表示时在文章中也要说明电池容量的啊,其实道理是一样的。只是表示方式不一样而已!
电流较大时,Si的可逆性就会非常不好。而且导致放电平台过低,从而放电时间减少的。不知对否?
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6楼
2011-05-14 13:17:59
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★
tokeikoku(金币+1): 谢谢参与
学习了,嘿嘿
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7楼
2012-11-22 16:40:21
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