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mlanqiang

木虫之王 (文学泰斗)

蓝博士

【答案】应助回帖


sheldon102(金币+2): 谢谢 2011-05-11 08:58:57
huangzx1314(金币+1): 鼓励交流~~ 2011-05-11 09:26:54
煅烧是可以的,在600度就行
蓝精灵
11楼2011-05-11 08:13:43
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sheldon102

金虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by mlanqiang at 2011-05-11 08:13:43:
煅烧是可以的,在600度就行

煅烧多长时间呢?
12楼2011-05-11 09:23:00
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sheldon102

金虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by yoyosnda at 2011-05-10 19:27:05:
去羟基就煅烧吧,550度就可以
增加羟基就用稀碱浸泡一天就好。

碱液会不会使二氧化硅微球溶解啊?
13楼2011-05-11 09:23:47
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匿名

用户注销 (著名写手)


本帖仅楼主可见
14楼2011-05-11 11:20:16
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翱翔天空

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

huangzx1314: 鼓励常来无机版交流~~ 2011-05-12 07:42:17
其实胶体氧化硅表面含有的羟基数已经足够多了(4.6个/平方纳米,和测量方法还有一定的关系),你若是改性使得表面羟基数增加,分散性、稳定性不见得好
专利代理
15楼2011-05-12 00:22:34
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sheldon102

金虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by 翱翔天空 at 2011-05-12 00:22:34:
其实胶体氧化硅表面含有的羟基数已经足够多了(4.6个/平方纳米,和测量方法还有一定的关系),你若是改性使得表面羟基数增加,分散性、稳定性不见得好

请教你的数据来源和测量方法?
很感谢你深夜的回复。
16楼2011-05-12 08:59:58
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sheldon102

金虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by 翱翔天空 at 2011-05-12 00:22:34:
其实胶体氧化硅表面含有的羟基数已经足够多了(4.6个/平方纳米,和测量方法还有一定的关系),你若是改性使得表面羟基数增加,分散性、稳定性不见得好

数据哪里来的啊?
17楼2011-05-12 22:56:08
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fyanchem

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


huangzx1314(金币+1): 欢迎经常参与无机版的讨论~~ 2011-05-13 10:22:28
高温煅烧可以减少表面硅羟基;用1M HNO3洗可以增加表面的硅羟基,但时间长会将二氧化硅溶解。
18楼2011-05-13 09:20:34
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meteorabob

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
985319楼: Originally posted by sheldon102 at 2011-05-12 08:59:58
请教你的数据来源和测量方法?
很感谢你深夜的回复。...

有一篇文献提到二氧化硅表面羟基密度的,Langmuir 1987, 3, 316-318
Concentration of Hydroxyl Groups on the Surface of Amorphous Silicas+,*
L. T.  Zhuravlev
19楼2012-11-05 18:42:09
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zhouwenrui

铜虫 (初入文坛)

要去掉   400度马弗炉里煅烧     要增加  用浓硫酸双氧水21:9 100度浸泡
20楼2012-12-12 16:05:18
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