| 查看: 3239 | 回复: 1 | ||||
| 本帖产生 1 个 博学EPI ，点击这里进行查看 | ||||
lzf_12266金虫 (正式写手)
|
[求助]
费米能级钉扎实现
|
|||
|
关于费米能级钉扎。 1 什么叫“费米能级钉扎”，如何做到? 2 怎样利用晶体中缺陷对费米能级进行钉扎。 问的可能不够专业，大概意思就是这样。 关键是第二个问题。 |
回复此楼» 猜你喜欢
2026国自然函评费到账
已经有17人回复
-
让我中一个面上吧！
已经有15人回复
-
2026年的国家社科基金项目通讯评审的新规则与新动向、新挑战
已经有5人回复
-
跳槽后在研项目怎么办？
已经有10人回复
-
什么时候开奖？
已经有10人回复
-
今天放榜吗？
已经有16人回复
-
93BebMhtakh前后11位开头都是大写
已经有8人回复
-
范进中举一文的中心思想
已经有4人回复
-
只有每年这种时候来逛逛小木虫
已经有26人回复
-
filecode，4个jtjc了
已经有16人回复
zhaohaixing
荣誉版主 (著名写手)
心静、静心
-
专家经验: +6 - 博学EPI: 142
- 应助: 14 (小学生)
- 贵宾: 1.609
- 金币: 22121.1
- 散金: 200
- 红花: 13
- 沙发: 16
- 帖子: 1952
- 在线: 3143.8小时
- 虫号: 979078
- 注册: 2010-03-22
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
- 管辖: 功能材料
【答案】应助回帖
lzf_12266(金币+4, 博学EPI+1): 2011-05-09 21:12:47
|
费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。本来半导体中的Fermi能级是容易发生位置变化的。例如，掺入施主杂质即可使Fermi能级移向导带底，半导体变成为n型半导体；掺入受主杂质即可使Fermi能级移向价带顶，半导体变成为p型半导体。但是，若Fermi能级不能因为掺杂等而发生位置变化的话，那么就称这种情况为费米能级钉扎效应。在这种效应起作用的时候，往半导体中即使掺入很多的施主或者受主，但不能激活（即不能提供载流子），故也不能改变半导体的型号，也因此难于通过杂质补偿来制作出pn结。 产生费米能级钉扎效应的原因，与材料的本性有关。宽禁带半导体（GaN、SiC等）就是一个典型的例子，这种半导体一般只能制备成n型或p型的半导体，掺杂不能改变其型号（即Fermi能级不能移动），故称为单极性半导体。一般，离子性较强的半导体（如Ⅱ-Ⅵ族半导体，CdS、ZnO、ZnSe、CdSe）就往往是单极性半导体。这主要是由于其中存在大量带电缺陷，使得费米能级被钉扎住所造成的。正因为如此，采用GaN来制作发兰光的二极管时，先前就遇到了很大的困难，后来通过特殊的退火措施才激活了掺入的施主或受主杂质，获得了pn结——制作出了发兰色光的二极管。 非晶态半导体也往往存在费米能级钉扎效应。制作出的非晶态半导体多是高阻材料,Fermi能级不能因掺杂而移动，这也是由于其中有大量缺陷的关系。 此外，半导体表面态密度较大时也往往造成费米能级钉扎效应。这在M-S系统和MOS系统中起着重要的作用。 |
2楼2011-05-09 11:13:41
