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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 合成介孔二氧化硅我采用了CTAC这种模板，怎么除去呢
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xlgang

金虫 (正式写手)

[求助] 合成介孔二氧化硅我采用了CTAC这种模板，怎么除去呢

我才用一篇文章合成介孔二氧化硅，主要原料有TEOS,MPTS,CTAC,DEA,H20和乙醇，为了得到单分散性好的介孔材料我参考文献用了MPTS, 但是我的介孔材料必须除去CTAC这种模板，我采用了乙醇和酸去除，可是每次都除去不干净，测得z=-10.2mv左右，所以影响了自组装，请求帮忙除去CTAC而且能够得到分散性非常好的介孔SiO2的方法，感激不尽
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1楼2011-05-03 20:48:57
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miaoyangbao

银虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by xlgang at 2011-05-03 21:17:47
350度煅烧，我介孔粒子表面巯基化然后氧化成磺基，这样煅烧会影响我的分散性吗...

楼主，能问下。你的分散性很好是去除模板了吗？还有介孔SiO2粒径大吗？   


我现在已经合成了60nm左右的介孔SiO2，合成出来后分散性什么的都很好，但是在去除模板之后发现粒径变大了，请问怎么处理？能告知？

非常感谢您。
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努力让自己更优秀。
14楼2016-10-10 21:12:20
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ke30ke

木虫之王 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★
xlgang(金币+10): 2011-05-03 21:18:52
wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-04 10:16:16
用索氏抽提器抽提试一下。
如果还不行就只好在马弗炉中350度烧一下了。
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2楼2011-05-03 21:07:48
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xlgang

金虫 (正式写手)
★
wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-04 10:16:23
引用回帖:
Originally posted by ke30ke at 2011-05-03 21:07:48:
用索氏抽提器抽提试一下。
如果还不行就只好在马弗炉中350度烧一下了。

350度煅烧，我介孔粒子表面巯基化然后氧化成磺基，这样煅烧会影响我的分散性吗
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3楼2011-05-03 21:17:47
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xlgang

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by ke30ke at 2011-05-03 21:07:48:
用索氏抽提器抽提试一下。
如果还不行就只好在马弗炉中350度烧一下了。

索氏抽提器抽提？？？没用过，我这个巯基功能化了分散性非常好，所以怕抽滤不行啊
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4楼2011-05-03 21:19:50
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