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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 合成介孔二氧化硅我采用了CTAC这种模板，怎么除去呢
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xlgang

金虫 (正式写手)

[求助] 合成介孔二氧化硅我采用了CTAC这种模板，怎么除去呢

我才用一篇文章合成介孔二氧化硅，主要原料有TEOS,MPTS,CTAC,DEA,H20和乙醇，为了得到单分散性好的介孔材料我参考文献用了MPTS, 但是我的介孔材料必须除去CTAC这种模板，我采用了乙醇和酸去除，可是每次都除去不干净，测得z=-10.2mv左右，所以影响了自组装，请求帮忙除去CTAC而且能够得到分散性非常好的介孔SiO2的方法，感激不尽
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1楼 2011-05-03 20:48:57
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805226312

银虫 (小有名气)
引用回帖:
10楼: Originally posted by bjwl玲 at 2013-04-22 16:02:38
请问一下，煅烧后的二氧化硅如何提高其分散性啊？有没有合适的方法对其表面进行修饰啊。...

要是表面不修饰   直接用二氧化硅  怎么分散啊？
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11楼2013-04-22 16:40:23
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ke30ke

木虫之王 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★
xlgang(金币+10): 2011-05-03 21:18:52
wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-04 10:16:16
用索氏抽提器抽提试一下。
如果还不行就只好在马弗炉中350度烧一下了。
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2楼2011-05-03 21:07:48
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xlgang

金虫 (正式写手)
★
wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-04 10:16:23
引用回帖:
Originally posted by ke30ke at 2011-05-03 21:07:48:
用索氏抽提器抽提试一下。
如果还不行就只好在马弗炉中350度烧一下了。

350度煅烧，我介孔粒子表面巯基化然后氧化成磺基，这样煅烧会影响我的分散性吗
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3楼2011-05-03 21:17:47
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xlgang

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by ke30ke at 2011-05-03 21:07:48:
用索氏抽提器抽提试一下。
如果还不行就只好在马弗炉中350度烧一下了。

索氏抽提器抽提？？？没用过，我这个巯基功能化了分散性非常好，所以怕抽滤不行啊
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4楼2011-05-03 21:19:50
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