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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 诚问怎么给空位加电荷？
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phys

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
wwgaochao(金币+3): 谢谢你的建议 2011-04-25 18:56:14
franch(金币+2): 鼓励继续交流 2011-04-25 21:44:32
引用回帖:
Originally posted by wwgaochao at 2011-04-24 22:14:03:
体系中一些缺陷是有电活性的，如硅中某些杂质原子和空位结合成复合体后会在禁带中引入施主或受主能级，空位本身也有中性空位和带负电的空位两种状态。我想描述的就是体系中空位带一个负电荷这种状态。ZnO体系中 ...

当然知道具有缺陷以后具有相应的电活性，问题是为什么一定认为是那个空位置上面带电呢？这个缺陷本身是个虚无的位置，其效应必定是体作用的结果，那么我认为体设置电荷就够了，没必要非强加在那个所谓的空穴上面一个什么电荷，这种做法与你所说的在周围的原子上面强加上4个正电荷效果是一致的，问题是这样合理吗？你认为加上几个电荷为合适呢？实际上第一性原理本身的电荷密度研究中就包含对你所谓缺陷的电荷分布分析，你能确在那个缺陷上面正好有那么一朵电子云吗？
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JustPhysics
11楼2011-04-24 22:54:24
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stractor

金虫 (著名写手)
★
franch(金币+1): 有链接否？ 2011-04-25 21:45:59
引用回帖:
Originally posted by franch at 2011-04-24 21:18:43:
以上论点有出处吗？

哦用VASP和另外一个S/PHINx/的，
手册上说明的。此外，不加补偿电荷，电子自洽难收敛。
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12楼2011-04-24 23:32:52
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stractor

金虫 (著名写手)
★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-04-25 21:47:23
引用回帖:
Originally posted by phys at 2011-04-24 22:54:24:
当然知道具有缺陷以后具有相应的电活性，问题是为什么一定认为是那个空位置上面带电呢？这个缺陷本身是个虚无的位置，其效应必定是体作用的结果，那么我认为体设置电荷就够了，没必要非强加在那个所谓的空穴上 ...

SCF,看自洽的电荷密度。
换一个角度讲，你加多余的电荷进去，除了缺陷原子周围，其他原子周围环境美改变，那么这个多余的电荷就不可能分布在正常的晶格原子周围，所以这多余的电荷在缺陷处。
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13楼2011-04-24 23:36:57
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cavediger

金虫 (正式写手)
★
franch(金币+1): 鼓励交流 2011-04-25 21:47:33
引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-04-24 12:19:59:
MS不知如何加，没用过MS。VASP可以。

vasp能指定加入电荷位置吗？应该是加到整个体系上，然后自洽到考察的可能位置上吧？
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我们都老得太快，却聪明得太迟。当我一路跌跌撞撞登上山巅，蓦然发现，本来就有一条笔直的路，直达山顶....
14楼2011-04-25 06:20:25
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phys

木虫 (正式写手)
★
franch(金币+1): 鼓励交流 2011-04-25 21:47:41
引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-04-24 23:36:57:
SCF,看自洽的电荷密度。
换一个角度讲，你加多余的电荷进去，除了缺陷原子周围，其他原子周围环境美改变，那么这个多余的电荷就不可能分布在正常的晶格原子周围，所以这多余的电荷在缺陷处。

对，就是这个意思。
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JustPhysics
15楼2011-04-25 09:57:40
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franch

版主 (著名写手)
★
cenwanglai(金币+1): 谢谢回复 2011-04-26 09:07:54
引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-04-24 23:36:57:
SCF,看自洽的电荷密度。
换一个角度讲，你加多余的电荷进去，除了缺陷原子周围，其他原子周围环境美改变，那么这个多余的电荷就不可能分布在正常的晶格原子周围，所以这多余的电荷在缺陷处。

不同意这观点，，有很多物质的缺陷引起的电子都是离域化的，，呵呵，，，
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遇弱则弱
16楼2011-04-25 21:49:18
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stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
cenwanglai(金币+2): 欢迎stractor常来讨论。还好吧？ 2011-04-26 09:08:26
引用回帖:
Originally posted by cavediger at 2011-04-25 06:20:25:
vasp能指定加入电荷位置吗？应该是加到整个体系上，然后自洽到考察的可能位置上吧？

VASP建模的时候不能指定多余的电荷在空间什么位置，但自洽后多余的电荷载晶格缺陷位置。你可以SCF后比较带电的缺陷和不打电荷在缺陷位置出的电荷密度图。
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17楼2011-04-26 04:46:03
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