【答案】应助回帖

Originally posted by wwgaochao at 2011-04-24 22:14:03:
体系中一些缺陷是有电活性的，如硅中某些杂质原子和空位结合成复合体后会在禁带中引入施主或受主能级，空位本身也有中性空位和带负电的空位两种状态。我想描述的就是体系中空位带一个负电荷这种状态。ZnO体系中 ...

Originally posted by franch at 2011-04-24 21:18:43:
以上论点有出处吗？

Originally posted by phys at 2011-04-24 22:54:24:
当然知道具有缺陷以后具有相应的电活性，问题是为什么一定认为是那个空位置上面带电呢？这个缺陷本身是个虚无的位置，其效应必定是体作用的结果，那么我认为体设置电荷就够了，没必要非强加在那个所谓的空穴上 ...

Originally posted by stractor at 2011-04-24 12:19:59:
MS不知如何加，没用过MS。VASP可以。

Originally posted by stractor at 2011-04-24 23:36:57:
SCF,看自洽的电荷密度。
换一个角度讲，你加多余的电荷进去，除了缺陷原子周围，其他原子周围环境美改变，那么这个多余的电荷就不可能分布在正常的晶格原子周围，所以这多余的电荷在缺陷处。

Originally posted by stractor at 2011-04-24 23:36:57:
SCF,看自洽的电荷密度。
换一个角度讲，你加多余的电荷进去，除了缺陷原子周围，其他原子周围环境美改变，那么这个多余的电荷就不可能分布在正常的晶格原子周围，所以这多余的电荷在缺陷处。

Originally posted by cavediger at 2011-04-25 06:20:25:
vasp能指定加入电荷位置吗？应该是加到整个体系上，然后自洽到考察的可能位置上吧？