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lm214019银虫 (小有名气)
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n型半导体
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以ZnO为例说明n型半导体形成的四种因素。急求！ [ Last edited by nxl5096224 on 2011-4-20 at 21:39 ] |
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penfee
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【答案】应助回帖
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zhangwengui330(金币+3): 欢迎参与讨论！！ 2011-04-21 08:08:46
lm214019(金币+4): 2011-04-26 08:15:42
zhangwengui330(金币+3): 欢迎参与讨论！！ 2011-04-21 08:08:46
lm214019(金币+4): 2011-04-26 08:15:42
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查阅如下： 本征ZnO常常呈弱n型电导性质，这是由ZnO晶体中较为显著的非化学计量比所致，即ZnO中的原子比例Zn：O略大于1，即氧空位和锌间隙的浓度远远大于锌 空位的浓度。 基于热力学原理，ZnO晶体中氧空位比锌间隙更易形成，曾经认为氧空位的浓 度大于锌间隙的浓度，因此本征ZnO中的施主缺陷主要是氧空位。 具体你说的四种因素本人非专业人士就不知就里了。提供一下上面说法的文献链接，更希望楼主自己从文献搜素中找答案。 ZnO本征半导体的点缺陷机制分析 |
2楼2011-04-20 20:37:21
lm214019
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3楼2011-04-21 10:16:28
