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【求助】用AAO做template沉积金属nanowires时如何去除背面沉积的金属film
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求教一个电化学沉积金属纳米线时的技术问题： 我用AAO（porous alumina）做template电沉积nanowires，但沉积完毕后AAO的背面都会有metal film形成，我想要除掉这层metal film。 有很多文献是先沉一层易容金属（e.g. Cu），再沉惰性金属（如Au）在目标nanowires产物的两端。沉积完毕后浸在浓硝酸里面，背面的metal film就会脱离。但我试了一下，结果两端的Au没能保护我的Ni nanowires，etch film的同时目标nanowires也被etch掉了。有谁知道用这种处理方法的具体细节么？比如浓硝酸具体的浓度是多少？Sacrifice 金属铜沉积多厚？相应需要etch多久比较好。 还有的方法是沉积之前先把AAO attach到硅片上，从而就没有背部metal film形成。有高手知道这样做的处理细节么？比如怎么粘，怎样保证接触良好，怎样接出导线。谢谢！ |
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2楼2011-05-25 21:10:21