| 查看: 1238 | 回复: 2 | ||
| 本帖产生 1 个 翻译EPI ，点击这里进行查看 | ||
young1105金虫 (初入文坛)
young
|
[求助]
英文摘要润色（电子类）
|
|
本人有一篇中文摘要，个人感觉翻译的不是很好，希望虫友们润色一下，谢谢 以典型的Si基n+-p-n-n+双极晶体管为对象，通过微波注入方式，从器件内部电场强度、电流密度和温度的分布变化出发研究其在高功率微波作用下的内在失效机理。利用线性拟合方法得到了损伤功率和脉宽之间的关系。研究表明，高功率微波对双极晶体管损伤部位是B-E结。烧毁点升温主要集中在信号负半周着信号注入幅度的不断增加，在正半周期烧毁点温度下降幅度越来越慢，注入幅度增加到一定值时，温度有小幅升高。损伤功率和脉宽公式和短脉冲经验公式符合的很好，从而验证了器件模型的合理性。 In this paper the study of high power microwave injection effect and internal damage mechanism of the typical n+-p-n-n+ structure bipolar transistor is investigated from the variation distribution of the electric field, the current density and the temperature. The relationship between the burnout time and the damage power is obtained using the curve fitting method. Results indicate that the damage position of the bipolar transistor is the base-emitter junction where the temperature rising is focus in the negative half-period. In the positive half-period, as the injected signal peak increases, the magnitude of the temperature falling in the damage position decreases but the temperature rises slightly when the injected singal peak increases to a certain value. The relationship of the damage power and the burnout time fits well with the empirical formulas which proved the accuracy of our model. |
回复此楼» 猜你喜欢
时间戳又变了
已经有16人回复
-
科研孤儿太难了
已经有9人回复
-
时间戳变了，能看出什么问题？
已经有23人回复
-
只有每年这种时候来逛逛小木虫
已经有22人回复
-
今天系统多次维护，明天很可能放榜！
已经有10人回复
-
放榜前的不淡定
已经有12人回复
-
言之凿凿，明天官网会通知放榜？
已经有16人回复
-
重要消息，中午系统在维护
已经有12人回复
-
哪位老哥知道今年的国自然具体哪一天放榜？
已经有20人回复
-
今天基金会出结果吗？20260819
已经有15人回复
zerohead
禁虫 (职业作家)
- 翻译EPI: 466
- 应助: 1 (幼儿园)
- 贵宾: 0.301
- 金币: 8727.8
- 散金: 850
- 红花: 15
- 沙发: 10
- 帖子: 3768
- 在线: 471.7小时
- 虫号: 1041741
- 注册: 2010-06-14
- 性别: GG
- 专业: 逻辑学
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
young1105(金币+10, 翻译EPI+1): 3Q~能否帮忙把摘要都润色一下，我的要求是不是太过分了，呵呵 2011-04-14 21:52:10
sltmac(金币+20): 谢谢交流~~~ 2011-04-18 11:16:55
young1105(金币+10, 翻译EPI+1): 3Q~能否帮忙把摘要都润色一下，我的要求是不是太过分了，呵呵 2011-04-14 21:52:10
sltmac(金币+20): 谢谢交流~~~ 2011-04-18 11:16:55
|
The first sentence is modified as below: 以典型的Si基n+-p-n-n+双极晶体管为对象，通过微波注入方式，从器件内部电场强度、电流密度和温度的分布变化出发研究其在高功率微波作用下的内在失效机理。 In this paper, the internal damage mechanism of the typical Si based n+-p-n-n+ structured bipolar transistor under high power microwave injection is investigated by studying the variation and distribution of the electric field, current density and temperature inside the transistor. |
2楼2011-04-14 20:11:27
young1105
金虫 (初入文坛)
young
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1223.8
- 散金: 83
- 帖子: 35
- 在线: 55小时
- 虫号: 843388
- 注册: 2009-09-08
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
3楼2011-04-18 09:37:52
40