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P型半导体与N型半导体的光催化反应机理及区别
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本人研究的是p型半导体NiO光催化降解染料与n型半导体TiO_2光催化性能的比较,现在发现一点疑问,望专家来解决。(300W紫外灯)(染料为:B-RN)。 1.在未曝入氧气的条件下,TiO_2催化染料降解率不到40%,在曝入氧气的条件下,TiO_2催化催化降解率不到40%在60min内染料就可以降解完全。这个机理已经有了相应的解释。 2.而在同样的条件下,NiO的催化染料降解,不需要扑入氧,NiO就可以在40min内就可以完全降解染料。为什么?? 如果能回答本问题,请你最好附一定的文献资料名称。 谢谢! |
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3楼2006-09-26 19:42:33







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