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【求助】微波介电性能与介电性能的主要区别是什么?
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| 微波介电性能与介电性能的主要区别是什么?现在想查阅关于氧化铝陶瓷介电性能(如介电强度,体积电阻率等因素)方面的文献,结果查到的都是微波介电性能的东西。。。。。机械品质因数与频率的乘积(Q×f),相对介电常数(εr),谐振频率温度系数(τf)等有关的,他们之间有怎样的联系?希望内行的高手给予指导。 |
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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
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谐振腔法的理解要依靠微波、电磁场方面的知识了,推荐你参考一本微波介质材料方面的大作,MT Sebastian 的 Dielectric Materials for Wireless Communication,2008年出版,里面主要讲的是目前实用的微波陶瓷的各种体系,也有关于微波介电性能测试的。 我所讲的谐振腔法,也叫 Hakki-Coleman方法,参见这本书的 2.3.1节 这本书的地址:http://ishare.iask.sina.com.cn/f/6309649.html |
7楼2011-05-18 20:20:11
2楼2011-05-13 10:15:30
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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
@qfl(金币+3): 谢谢。说的很好。学习了! 2011-05-18 09:27:15
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@qfl(金币+3): 谢谢。说的很好。学习了! 2011-05-18 09:27:15
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通常说的介电频谱,仅是低频下测的,比如 几十KHz 至 几个MHz,因为这个频段范围内可以考察到许多极化机构,如空间电荷、固有电矩、离子位移极化等等,这些信息是从介电常数、损耗正切随频率的变化得到的。这个介电频谱用电桥方法即可测量,可测得频率连续变化的谱图。 而微波介电性能,通常是为了考虑其应用到微波器件(如谐振器),需在微波频段测量,高达几百MHz至数GHz,此时电桥方法就不行了,而需采用诸如 谐振腔 法等手段。这些微波测量手段只能测量谐振频率处的介电常数、损耗正切(即Q值倒数),而谐振频率与样品的介电常数、物理尺寸有关,因此每个样品只能测一个频点,若需测数个频点就需准备多个不同尺寸的样品了。 在微波频段,低频下的极化机构统统不起作用,所以此时的介电常数较稳定,但损耗仍会有较大变化,因此你看到文献上给出的QXf,就是要告诉这个Q值是在哪个微波频点下测的。微波介质材料另一个重要指标,是温度系数,即在一定温度范围内,谐振频率的变化。 [ Last edited by r9arrow on 2011-5-13 at 10:42 ] |
3楼2011-05-13 10:37:49
4楼2011-05-13 11:21:31













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