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chuyezuo

铁虫 (小有名气)

[交流] 【求助】为什么细化晶粒可以增加晶体的塑性? 已有13人参与

众所周知,细晶强化是同时提高强度和塑性的方法,提高强度是根据霍尔派奇关系所得,那增加塑性是什么原因呢?可以从位错滑移的角度解释吗?
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nwpu_ranger

木虫 (正式写手)

铁血川军团


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
这个问题 前不久还有相同的帖子 楼主可以翻翻旧历 应该有
没有过人的天赋,唯有超人的勤奋
4楼2011-04-06 22:54:40
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wyb1988

木虫 (正式写手)


★ ★ ★
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imrsfb(金币+1): 欢迎交流~ 2011-04-06 16:11:50
imrsfb(金币+1): 鼓励新虫,多多发言哦~ 2011-04-06 16:12:18
晶粒细化时,晶内空位数目与位错数目都减少,位错与空位、位错间的交互作用几率减小,位错易于运动,即塑性好。
位错数目少,塞积位错数目少,使应力集中降低。
晶粒细化使晶界总面积增加,致使裂纹扩展的阻力增加,推迟了裂纹的萌生,增加了断裂应变。
晶粒细小,裂纹穿过晶界进入相邻晶粒并改变方向的频率增加,消耗的能量增加,韧性增加。
另外晶界总面积增加可以降低晶界上的杂质浓度,减轻沿晶脆性断裂倾向。
2楼2011-04-06 11:04:53
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comma

专家顾问 (知名作家)

材料人

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
imrsfb(金币+1): 欢迎交流~ 2011-04-06 16:12:36
引用回帖:
Originally posted by chuyezuo at 2011-04-06 09:18:10:
众所周知,细晶强化是同时提高强度和塑性的方法,提高强度是根据霍尔派奇关系所得,那增加塑性是什么原因呢?可以从位错滑移的角度解释吗?

对于强度,关键在于晶界对位错滑移的阻滞效应。位错在多晶体中运动时,由于晶界两侧晶粒的取向不同,加之这里杂质原子较多,也增大了晶界附近的滑移阻力,因而一侧晶粒中的滑移带不能直接进入第二个晶粒,而且要满足晶界上形变的协调性,需要多个滑移系统同时动作。这同样导致位错不易穿过晶界,而是塞积在晶界处,引起了强度的增高。可见,晶界面是位错运动的障碍,因而晶粒越细小,晶界越多,位错被阻滞的地方就越多,多晶体的强度就越高。

而对于塑性,晶粒越细,单位体积内晶粒越多,形变时同样的形变量可分散到更多的晶粒中,产生较均匀的形变而不会造成局部应力过度集中,引起裂纹的过早产生与发展。
每天一小步也有新高度
3楼2011-04-06 13:42:46
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zhaofeng_2

金虫 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
神马众所周知,晶粒细化几乎所有情况是强度提高塑性降低!
你说的塑性提高应该是热处理后的情况
5楼2011-04-07 08:44:52
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