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求助:请问硅薄膜材料的电导激活能怎么测量,能反映什么信息?
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pyy1771kak
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[交流]
求助:请问硅薄膜材料的电导激活能怎么测量,能反映什么信息?
想请问一下硅薄膜材料的电导激活能应该用什么设备,怎么测试计算,它能反映出材料的什么信息? 另外电导激活能和杂质电离能有什么区别?
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Last edited by pyy1771kak on 2011-4-1 at 21:43
]
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2011-04-01 13:37:58
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pyy1771kak(金币+1): 谢谢交流 2011-04-02 09:30:37
用光学的手段应该可以测。另外,杂质电离能指的是杂质失去电子的能量,种类不同的杂质其电离能也不同。
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2011-04-02 09:15:17
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pyy1771kak
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Originally posted by
夕阳西下
at 2011-04-02 09:15:17:
用光学的手段应该可以测。另外,杂质电离能指的是杂质失去电子的能量,种类不同的杂质其电离能也不同。
能说详细一点吗
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3楼
2011-04-02 09:30:19
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aishan(金币+1): 鼓励交流 2012-03-05 15:06:57
激活能反应的是费米能级在禁带中的位置,对于本征材料激活能近似与禁带宽度的一半,而对于掺杂材料激活能是一个有效的手段判断掺杂是否足够(掺杂会导致费米能级在禁带中移动)。
但是激活能也受材料中的缺陷态影响,并不是一个非常准确、绝对的数值。
参考这个帖子
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1264852
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2012-03-05 14:56:04
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nofrunolif(金币+2): 欢迎来本版交流 2012-03-05 20:21:07
电导激活能最好用温度-电阻曲线测量,做出lnσ~1000/T的曲线,斜率就是激活能。反应的是材料杂质能级上的电子跑到导带需要的能量。材料导电不单是杂质电离,内部的缺陷也可以提供载流子(特别是多晶),基本上电导激活能的值和杂质电离大小还是不同的。
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2012-03-05 17:17:27
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pyy1771kak
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2012-03-05 16:38
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Originally posted by
plums_1
at 2012-03-05 14:56:04: 激活能反应的是费米能级在禁带中的位置,对于本征材料激活能近似与禁带宽度的一半,而对于掺杂材料激活能是一个有效的手段判断掺杂是否足够(掺杂会导致费米能级在禁带中移动)。 但是激活能也受材料中的缺陷态影 ...
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