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ylkitty金虫 (正式写手)
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[求助]本征非晶硅薄膜的电学特性表征方法 已有1人参与
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我们制作出了未掺杂的本征非晶硅薄膜，测了红外光谱，只有630和2000cm-1处有明显的吸收，表明Si-H键的摇摆模式和伸缩模式占主导。这只能定性地分析我们长的非晶硅薄膜的质量还可以。 至于器件制作，需要知道非晶硅薄膜的电学特性。我们在一个1cmX1cm的玻璃片上生长了非晶硅薄膜（<=360nm），并在四个角上做了金电极，可是霍尔测试仪总是测不出来薄膜的半导体参数。该仪器的灵敏度是10^13cm-3。是不是本征非晶硅薄膜的载流子浓度非常低，以至于霍尔测试仪测不出来？还有一个可能的原因是金属电极与非晶硅薄膜之间的接触可能存在较大的接触电阻，但是对于本征半导体薄膜，这个接触电阻是无法避免的。 我的问题是： 1. 本征非晶硅薄膜的载流子浓度在多少数量级？电阻率又在什么量级上？载流子迁移率又在多少量级？ 2. 有没有很好的表征非晶硅薄膜电学特性的方法？如何实施？ 3. 有没有半导体电学参数检测方面的直接相关文献推荐？请推荐。 谢谢先！ |
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jinlujie
新虫 (正式写手)
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