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【求助】窄禁带大电流异质结
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翔者0001
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【求助】窄禁带大电流异质结
请教大家一个问题:
想寻求一种异质结(PN型的),要求是能隙比较窄的,能承受大电流,breakdown也比较好的。而且最好是简单一点的半导体。
希望能得到大家的建议,如经采纳,另有重谢(金币,嘿嘿)。
在这里,先谢谢大家了!
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2011-03-11 23:50:04
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翔者0001(金币+5): 非常感谢,请问可以更详细点么?比如哪个做P型,哪个做N型,谢谢! 2011-03-12 22:43:39
InSb-GaSb?
HgCdTe?
CdSe-ZnS?
[
Last edited by ????730 on 2011-3-12 at 19:34
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2011-03-12 19:31:51
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请看这本书
翔者0001(金币+2): 这书我简单翻过,我再看看。因为不光是要窄禁带的,重要的是能寻找这样的两种材料,使得形成的异质结可以承受大电流和breakdown,请问您有何高见?谢谢! 2011-03-12 22:59:16
褚君浩 <窄禁带半导体物理学> 科学出版社
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3楼
2011-03-12 22:55:01
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做"量子雪崩"的?
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2011-03-12 23:21:45
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????730
at 2011-03-12 23:21:45:
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2011-03-12 23:24:54
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翔者0001
at 2011-03-12 23:24:54:
哈哈,差不太多,主要是想从基础物理角度来做,想寻求这样的一种异质结,来证明我们的一个东西。请问仁兄对选什么材料,可有什么高见?
"大电流"还是"大电流密度"?
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6楼
2011-03-12 23:28:13
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???????:
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????730
at 2011-03-12 23:28:13:
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2011-03-12 23:37:48
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翔者0001(金币+1): 那你觉得用什么材料好些呢?是用什么方式长膜呢?PLD,MBE还是MOCVD?或是其他? 2011-03-12 23:55:57
引用回帖:
Originally posted by
翔者0001
at 2011-03-12 23:37:48:
大电流密度
那就要看电导率了
重掺杂就是了
而且对窄带隙系统
重掺杂有利于雪崩效应的发生
只是不能掺杂过度
否则就"变成"电阻了
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8楼
2011-03-12 23:49:17
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翔者0001: 那你觉得用什么材料好些呢?是用什么方式长膜呢?PLD,MBE还是MOCVD?或是其他? 2011-03-12 23:55:57
看来您那里条件真不错,那就MBE吧!
材料在2楼已经说过了
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2011-03-13 00:08:34
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????0001: ????????????????Щ??????????????????PLD??MBE????MOCVD???????????? 2011-03-12 23:55:57
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2011-03-13 11:28:14
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????0001
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Last edited by ????730 on 2011-3-13 at 11:57
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2011-03-13 11:56:17
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????730
at 2011-03-13 11:56:17:
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PLD??в?????????????????????????????????????????????
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2011-03-13 12:23:29
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????0001
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PLD??в?????????????????????????????????????????????
???????HgCdTe??????????????????????????????????????????Щ???????????
????PLD?????????,HgCdTe????????.
????????????,??????!
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Last edited by ????730 on 2011-3-13 at 13:20
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