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| For an n-type oxide semiconductor, intrinsic oxygen vacancies are responsible for its electronic conductivity. The adsorption of oxidative gas species will creates extrinsic surface acceptor states that repel conduction band electrons, which results in lower conductivity, while reductive gas will cause reverse result. Therefore, the gases can be detected through monitoring the change of electronic conduction. Most of the present effort is being contributed to the improvement of sensitivity, selectivity, and long term stability of gas sensors. For a high sensitivity (i.e. great change in conductivity) and a fast response rate, the sensing material should exhibit large surface areas, and allow for good accessibility of the sensing material surface. To fulfill these requirements for gas sensors, one method is to decrease the size of sensor material, or to prepare porous structure for increasing the surface-to-volume ratio. Another route is to design and synthesize the nanostructure of sensing material exposing unique lattice planes [4], which would have stronger or selective absorption ability for detecting gases. |
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雪夕(金币+8, 翻译EPI+1): 2011-03-18 21:27:11
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对于n型氧化物半导体，其固有氧空穴影响着材料导电率。吸收氧化性气体会产生非本征的表面受体状态并排斥导带电子，从而引起导电率下降。而还原性气体影响与此相反。因此，可以通过监测导电率的变化检测气体。当前大多数研究在于提升气体传感器的灵敏度，选择性和稳定性。要实现高的灵敏度（即大的导电率变化）和快速响应，感应材料必须有大的接触面，并且易于和被侦测气体接触。为了实现气体传感器上述要求，一是要减小感应材料的体积，或者采用多孔结构以提高表面积与体积比。二是制造具有特定晶面的纳米结构感应材料，以得到更强的或选择性的气体吸收。 这mm挂了问题就一周不上线，不会是水贴吧？ |
3楼2011-03-16 15:39:14
4楼2011-03-16 15:45:29