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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】剪刀算符的运用于gga
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longwangye

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】剪刀算符的运用于gga

最近我发现对一个物质参杂后 费米能级进入了导带(由于ms本身会低估禁带宽度)，这样会严重影响光学性能。据文献说用剪刀算符可以修正。到底是怎么个原理呢。我发现好像就是直接从费米能级处剪断并让费米能级以上的导带向上移动一定高度，而费米能级以下不变并似乎变成价带了。显然不对 。文献上对LDA讨论的较多，对GGA讨论的好像较少。我实在是没办法了望高人指点，最好能给我介绍些相关的文献 就更好了，谢谢了哈。
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1楼 2011-03-08 20:11:35
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stractor

金虫 (著名写手)
★
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引用回帖:
Originally posted by 贺仪 at 2011-05-22 17:54:56:
是不是如7楼所说通过pdos求出呢？

就是一根或者几根能级，
You can see these levels
by reading energy levels at a certain k-point (or by plotting a whole band
structure).
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10楼2011-05-22 20:50:39
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bingmou

金虫 (著名写手)
★ ★
zzy870720z(金币+2): 谢谢讨论 2011-03-09 11:49:37
longwangye(金币+5): 2011-03-09 14:37:28
所谓剪刀算符就是你说的那样，把DFT计算得到的偏小的带隙直接拉大到和实验一样。一般称为剪刀操作。算符这说法是在太装B了。
基本的理论就是DFT计算基态是比较准确的，所以费米能级以下的应该是可靠的，但是导带是不太可靠的，所以可以随意操作，只要不影响价带就可以
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2楼2011-03-09 09:39:13
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stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
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mazuju028(金币+1): 谢谢交流 2011-05-22 13:44:50
这个“剪刀”真的没什么科学原理，装B。
说个例子来说明什么是能隙修正的剪刀算符。比如某材料的能隙真实值是3.5 eV,通常GGA和LDA会很大地低估带隙值，比如GGA算出来的是2.0 eV。某种杂质的缺陷能级比如在CBM下面0.1eV的位置出（VBM上面的1.9eV位置），剪刀的作用就是将带隙固定在3.5eV的同时，缺陷能级也上移，使得缺陷能级任然在拉大后的CBM下的0.1eV处（此时缺陷能级在VBM上面3.4eV处了）。

“ms本身会低估禁带宽度”不是MS低估，是交换关联泛函低估的。
“费米能级进入了导带”是真的吗？除非你的掺杂浓度特别高，使得杂质能级也形成了能带，在掺杂浓度低的话，费米能级不可能进入导带。

[ Last edited by stractor on 2011-5-22 at 04:26 ]
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3楼2011-05-22 04:22:57
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jinzhulin000

金虫 (小有名气)
★
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就这么完了？实际操作呢？有没有文献的支撑啊？
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5楼2011-05-22 09:22:02
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