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【摘要编号】61006006/F040103
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xdweld(金币+10, 基金HEPI+1): 非常感谢 2011-02-21 14:54:43
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项目编号： 61006006 项目名称： p型ZnNiO材料的MOCVD法制备、调制与掺杂问题研究 项目类型： 青年科学基金项目 申报学科： 薄膜半导体材料(F040103) 研究性质： 应用基础研究 资助金额： 20 万元 依托单位： 吉林大学 项目负责人： 董鑫 开始日期： 2011-01-01 完成日期： 2013-12-31 项目摘要： ZnO是近年来发展起来的新型宽禁带半导体光电功能材料，在蓝紫光发光器件、表面声波器件、压电器件等方面具有很大的应用潜力。未掺杂的ZnO呈n型，具有强烈的自补偿效应。这为它的有效p型掺杂造成了很大的困难。目前，该类研究已经取得了一定的进展，但是如何有效减弱其自补偿效应、寻找到合适的受主掺杂源的问题并没有得到彻底解决。为此，我们提出利用MOCVD法在ZnO中加入NiO材料制备成合金。在不改变原六方晶系结构的前提下，利用NiO内大量的本征受主缺陷对ZnO材料内的本征施主缺陷进行有效的补偿。并在此基础上，对ZnNiO材料进行锂元素掺杂实验。利用锂原子同时占据晶格中Zn和Ni原子的格位，形成大量有效的受主杂质，进而提高材料的掺杂效率。同时，利用光辅助系统，有效的缓解在NiO材料加入过程中造成的材料的晶体质量下降。该项研究将为今后我们研制ZnO系发光器件打下坚实的基础。 |
2楼2011-02-21 14:25:14
